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ALD1101PA

DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ALD [Advanced Linear Devices]

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ALD [Advanced Linear Devices]
零件包装代码
DIP
包装说明
IN-LINE, R-PDIP-T8
针数
8
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE
配置
COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压
12 V
最大漏源导通电阻
75 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
元件数量
2
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
70 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.5 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与ALD1101PA相近的元器件有:ALD1101、ALD1101APA、ALD1101DA、ALD1101SA、ALD1101A、ALD1101B、ALD1101BPA。描述及对比如下:
型号 ALD1101PA ALD1101 ALD1101APA ALD1101DA ALD1101SA ALD1101A ALD1101B ALD1101BPA
描述 DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅 - - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 - - 不符合
零件包装代码 DIP - DIP DIP SOT - - DIP
包装说明 IN-LINE, R-PDIP-T8 - IN-LINE, R-PDIP-T8 IN-LINE, R-GDIP-T8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 - - IN-LINE, R-PDIP-T8
针数 8 - 8 8 8 - - 8
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow - - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 - - EAR99
其他特性 LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE - LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE - - LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE
配置 COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS - COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS - - COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压 12 V - 12 V 12 V 12 V - - 12 V
最大漏源导通电阻 75 Ω - 75 Ω 75 Ω 75 Ω - - 75 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 - R-PDIP-T8 R-GDIP-T8 R-PDSO-G8 - - R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0 - - e0
元件数量 2 - 2 2 2 - - 2
端子数量 8 - 8 8 8 - - 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 70 °C - 70 °C 125 °C 70 °C - - 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE - - IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W - 0.5 W 0.5 W 0.5 W - - 0.5 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified
表面贴装 NO - NO NO YES - - NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING - - THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL - - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING - - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON - - SILICON
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L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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