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ES1G

描述:
1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
1 A, 400 V, 硅, 信号二极管, DO-214交流
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398KB,共2页
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http://www.kdiode.com/
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器件:ES1G

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概述
1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
1 A, 400 V, 硅, 信号二极管, DO-214交流
器件参数
参数名称
属性值
端子数量
2
元件数量
1
加工封装描述
塑料, HSMA, 2 PIN
状态
DISCONTINUED
包装形状
矩形的
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
C BEND
端子涂层
锡 铅
端子位置
包装材料
塑料/环氧树脂
结构
单一的
二极管元件材料
二极管类型
信号二极管
反向恢复时间最大
0.0600 us
最大重复峰值反向电压
400 V
最大平均正向电流
1 A
文档预览
Reverse Voltage - 50 to 600 Volts
SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
ES1A THRU ES1J
Forward Current - 1.0 Ampere
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
SMA(DO-214AC)
Low reverse leakage
Built-in strain relief,ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250℃/10 seconds at terminals
Super fast switching for high efficiency
.062(1.60)
.055(1.40)
.114(2.90)
.098(2.50)
.181(4.60)
.157(4.00)
.012(.305)
.006(.152)
MECHANICAL DATA
Case
: JEDEC DO-214AC molded plastic body
Terminals
: Solder plated , solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity
: Color band denotes cathode end
Mounting Position
: Any
Weight
: 0.064 grams (approx.)
.103(2.62)
.079(2.00)
.060(1.52)
.030(0.76)
.008(.203)
.002(.051)
.208(5.28)
.188(4.80)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
C
= 100°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current 8.3ms Single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
@I
F
= 1.0A
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
ES1A
ES1B
ES1C
ES1D
ES1E
ES1G
ES1J
Unit
V
V
A
50
35
100
70
150
105
200
140
1.0
300
210
400
280
600
420
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
T
j
, T
STG
0.95
30
1.3
5.0
500
35
10
-55 to +150
1.7
A
V
µA
nS
pF
°C
Peak Reverse Current
@T
A
= 25°C
At Rated DC Blocking Voltage @T
A
= 125°C
Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
ES1A THRU ES1J
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES
I
(AV)
, AVERAGE FWD RECTIFIED CURRENT (A)
Single phase half wave
Resistive or Inductive load
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
1.00
10
T
j
= 25
°
C
Pulse width = 300
µ
s
0.75
1.0
- ES1D
- ES1G
0.50
0.25
0.1
ES1J
0
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0
25
50
75
100
125
150
175
T
L
,
TEMPERATURE
(
°
C)
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
I
FSM
, PEAK FORWARD SURGE CURRENT (A)
30
Pulse width
8.3 ms single half-sine-wave
(JEDEC method)
100
T
j
= 25
°
C
f = 1.0MHz
20
C
j
, CAPACITANCE (pF)
10
10
0
1
10
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
100
1
1
10
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Junction Capacitance
t
rr
100
50
NI (Non-inductive)
Device
Under
Test
50V DC
Approx
10
NI
+0.5A
(-)
Pulse
Generator
(Note 2)
(+)
(-)
0A
-0.25A
1.0
NI
Oscilloscope
(Note 1)
(+)
Notes:
1. Rise Time = 7.0ns max. Input Impedance = 1.0M
, 22pF.
2. Rise Time = 10ns max. Input Impedance = 50
.
-1.0A
Set time base for 5/10ns/cm
Fig. 5 Reverse Recovery Time Characteristic and Test Circuit
参数对比
与ES1G相近的元器件有:ES1A、ES1C、ES1E、ES1J、ES1B、ES1D。描述及对比如下:
型号 ES1G ES1A ES1C ES1E ES1J ES1B ES1D
描述 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
端子数量 2 2 2 - 2 2 2
元件数量 1 1 1 - 1 1 1
加工封装描述 塑料, HSMA, 2 PIN 塑料, SMA, 2 PIN SMA, 2 PIN - SMA, 2 PIN 绿色, 塑料, SMA, 2 PIN 塑料, SMA, 2 PIN
状态 DISCONTINUED ACTIVE ACTIVE - TRANSFERRED ACTIVE ACTIVE
包装形状 矩形的 矩形的 RECTANGULAR - 矩形的 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes - Yes Yes Yes
端子形式 C BEND C BEND C BEND - C BEND C BEND C BEND
端子涂层 锡 铅 - MATTE TIN - NOT SPECIFIED PURE 锡 PURE 锡
端子位置 DUAL -
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 SINGLE - 单一的 单一的 单一的
二极管元件材料 SILICON -
二极管类型 信号二极管 信号二极管 SIGNAL DIODE - 信号二极管 信号二极管 信号二极管
反向恢复时间最大 0.0600 us 0.0200 us 0.0150 us - 0.0600 us 0.0350 us 0.0200 us
最大重复峰值反向电压 400 V 50 V 150 V - 600 V 100 V 200 V
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A - 1 A 1 A 1 A
使用LM3S串口与AVR单片机串口设置
UART-----FIFO #include \"inc/hw_ints.h\" #i...
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