HYM532220SLTW-10,HYM532220SLTW-10 pdf中文资料,HYM532220SLTW-10引脚图,HYM532220SLTW-10电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与HYM532220SLTW-10相近的元器件有：HYM532220SLTWG-10、HYM532220SLW-10、HYM532220SLWG-10、HYM532220TW-10、HYM532220TWG-10、HYM532220W-10、HYM532220WG-10。描述及对比如下：

型号	HYM532220SLTW-10	HYM532220SLTWG-10	HYM532220SLW-10	HYM532220SLWG-10	HYM532220TW-10	HYM532220TWG-10	HYM532220W-10	HYM532220WG-10
描述	DRAM Module, 2MX32, 100ns, CMOS, PSMA72, GLASS, SIMM-72	DRAM Module, 2MX32, 100ns, CMOS, PSMA72, GLASS, SIMM-72	DRAM Module, 2MX32, 100ns, CMOS, PSMA72, GLASS, SIMM-72	DRAM Module, 2MX32, 100ns, CMOS, PSMA72, GLASS, SIMM-72	DRAM Module, 2MX32, 100ns, CMOS, PSMA72, GLASS, SIMM-72	DRAM Module, 2MX32, 100ns, CMOS, PSMA72, GLASS, SIMM-72	DRAM Module, 2MX32, 100ns, CMOS, PSMA72, GLASS, SIMM-72	DRAM Module, 2MX32, 100ns, CMOS, PSMA72, GLASS, SIMM-72
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	GLASS, SIMM-72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72
针数	72	72	72	72	72	72	72	72
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72
长度	107.85 mm	107.85 mm	107.85 mm	107.85 mm	107.85 mm	107.85 mm	107.85 mm	107.85 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72	72	72	72	72
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.0016 A	0.0016 A	0.0016 A	0.0016 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
最大压摆率	0.244 mA	0.244 mA	0.244 mA	0.244 mA	0.244 mA	0.244 mA	0.244 mA	0.244 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
宽度	6.35 mm	6.35 mm	9.4 mm	9.4 mm	6.35 mm	6.35 mm	9.4 mm	9.4 mm

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基带处理芯片共享高速存储器模块设计

0. 引言本文介绍了一种共享高速存储器模块的设计。该高速存储器能够实现多核处理器间的数据交换，同时占用较小的电路面积。相比传统的多核处理器数据交换方式，本设计可以更好地提升系统性能。是一种有市场竞争力的电路设计结构; 1. 共享缓存结构设计 1.1 总体考虑在多核 CPU中共享高速缓存主要负责缓存多个处理器核的数据，处理访问这些数据的缺失请求并向 DRAM 控制器发送请求以获得 DRAM 返...[详细]
量产延后、贷款纠纷的夏普，10.5 代线突然订单满载？

广州超视堺10.5代线，是鸿海夏普与广州政府联合投资 610 亿元打造的先进显示面板制造工厂。原计划在 2019 年 9 月底开始量产，但中间传出鸿海寻求将其出售的消息，后不了了之。近日有报道称，工厂目前由于订单满载，已发出紧急人力招聘通知。广州超视堺 10.5 代厂在今年 7 月底点亮投产、虽然量产时程由原订 9 月延后 6 个月至明年 4 月，但 10 月依旧正常试车投产，近日更...[详细]
OMNIVISION在CES 2024上发布OX03J10

OMNIVISION宣布推出其首款OX03J10 300万像素CMOS片上系统（SoC）图像传感器。这款传感器专为环视系统（SVS）、后视摄像头（RVC）和摄像头监控系统（CMS）设计，具备140dB高动态范围（HDR）和LED闪烁抑制（LFM）功能，无论光线条件如何，都能呈现出色的图像质量。通过将图像传感器与专用图像信号处理器（ISP）集成到一个SoC中，OMNIVISION优化了HDR...[详细]
三星预警：苹果大量订购其NAND芯片

　　据我国台湾省的一家媒体报道称，三星对其客户发出预警，因苹果大量订购NAND闪存芯片，预计这类芯片将在一段时间内缺货。　　当地时间本周三，《电子时报》报道称，三星在对其客户发出的预警中表示，苹果最近向三星订购了5000万颗8Gb的NAND闪存芯片，计划用于3G版iPhone上；想必大家都听说此事了。因此三星的其它客户需要等上一段时间后才能收到三星的发货。三星是苹果的固定供应商之一，两家公司...[详细]
51单片机与VB串行通信的实现

1．引言：　　随着计算机系统的应用和微机网络的发展，各种控制设备之间的通信功能越来越显得重要。在设计的减振控制系统中，控制器（下位机）采用两片AT89C52单片机，分别用于对左右减振器实施控制，同时将测量的温度、电流、速度等信号按一定采样时间保存在E2PROM ATC256中。为了能测试控制器的工作情况，包括初始安装时的状况测试和读取历史记录并做测试诊断以及能根据参数变化情况进行故障诊断，为此，...[详细]
Marvell ARMADA Mobile PXA1088 四核通信处理器助力三星全新智能手机

三星Galaxy Win高质量、经济实惠的安卓智能手机为中国移动快速增长的用户群带来更强性能 2013年11月25日，北京讯 - 全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技（Marvell，Nasdaq: MRVL）今日宣布，三星Galaxy Win智能手机采用了高集成度、四核应用及通信移动单芯片系统（SoC）Marvell® ARMADA® Mobile PXA1088。高质量、经济实惠的...[详细]
造车哪有那么容易，苹果等硅谷巨头表示赚钱真难

即便技术公司力挺的无人车更快到来，怎么从中赚钱依然是个问题。苹果迫切地需要一个新东西了。在今天早上苹果财报发布后的电话会议上，有这两段问答：分析师：关于未来 3 - 5 年，苹果有一个大战略么？还是说你们根据市场变化再做反应？库克：苹果历史上最强的新品正在路上，但我们不会提前透露。我们对市场未来发展有明确的感知，同时也能快速反应用户需求。 ...[详细]
Silicon Labs收音机产品系列解决汽车行业性价比挑战

中国，北京 - 2017年8月10日 - Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）日前针对全球汽车信息娱乐市场推出了业界最具扩展性、灵活性和性价比的汽车收音机解决方案。Silicon Labs新的Global Eagle和Dual Eagle AM/FM接收器、数字收音机调谐器以及Digital Falcon协处理器的新产品组合，帮助汽车制造商和一级供应商能够满足所有...[详细]
2017年内嵌式触控方案将在NB市场超越外挂式触控

随着内嵌式触控解决方案的成本逐渐下降，内嵌式触控荧幕的面板制造商正试图扩大在笔记型电脑市场中的版图。依据IHS Markit发布的《触控面板市场追踪报告》(Touch Panel Market Tracker)显示，包括on-cell与in-cell TFT LCD在内的内嵌式触控面板，在笔记型电脑触控面板市场中的占有率，预计将从2016年的33.5%，提升为2017年的50%以上，一举凌...[详细]
探索矢量信号发生器分享通用矢量信号发生器架构

实时波形生成可在所有阶段验证接收器设计，从基带子系统编码一直到灵敏度测试。在考虑选择矢量信号发生器时，需要考虑各种参数：信号生成的切换模式、创建您自己的波形以及探索不同的测试场景。您还应该考虑架构差异，比较传统与 DDS（直接数字合成器），以及矢量信号发生器可以帮助解决的各种其他挑战。当前的客户挑战许多射频工程师面临着新的设计和测试挑战，包括满足不断涉及的标准要求、提供性能以及在当今竞...[详细]
三星2016款Galaxy J1曝光 4.5寸屏双核处理器

北京时间12月28日消息，三星Galaxy J1的“升级版”机型已经通过美国联邦通讯委员会（FCC）的认证，距离上市又近了一步。三星新Galaxy J1曝光 4.5寸屏双核处理器　　Twitter网友@sleaknow称，新款Galaxy J1型号为SM-J120F，采用了4.5英寸800×480分辨率显示屏，搭载1.3GHz Exynos 3475处理器，集成Mali-T...[详细]
看准4K UHD需求　ST/博通抢推DOCSIS 3.1芯片

下一代高速宽频家庭网路竞技赛开打。意法半导体(ST)和博通(Broadcom)不约而同在2015年美国消费性电子展(CES)抢先展示DOCSIS 3.1数据晶片，以回应市场对4K超高画质(UHD)、线缆网路电视(Cable IPTV)及多萤幕(Multi-screen)影音串流服务的殷切需求，因而掀起DOCSIS 3.1新技术战火。意法半导体副总裁暨消费产品部门总经理Philippe N...[详细]
苹果iPhone 8的“曲面屏”和三星的不一样

今年苹果预计会发布三款新手机，其中两款是 iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 的升级版本，另外一款就是采用 5.8 英寸屏幕的 iPhone 8。根据此前的传闻，iPhone 8 将会配备一块 OLED 曲面屏幕，因此很多人都在第一时间想到了三星旗下的 Galaxy S7 Edge。然而在日本媒体来看，这两款手机的显示屏幕并不一样。　　《日经亚洲评论》今天在一篇报道中表示，5....[详细]
高压钠灯镇流器好坏判断

　　高压钠灯特点　　高压钠灯使用时发出金白色光，它具有发光效率高、耗电少、寿命长、透雾能力强和不诱虫等优点。广泛应用于道路、高速公路、机场、码头、船坞、车站、广场、街道交汇处、工矿企业、公园、庭院照明及植物栽培。高显色高压钠灯主要应用于体育馆、展览厅、娱乐场、百货商店和宾馆等场所照明。　　白炽灯泡工作时发出暖色光，而且显色性极佳（显色指数Ra=100 ），从它诞生至今的相当长时间时里，仍...[详细]
直接启动和软启动的区别是什么

直接启动和软启动是两种不同的电动机启动方式，它们在启动过程中对电动机的电流、转矩和机械冲击等方面有不同的影响。本文将详细介绍直接启动和软启动的区别，包括它们的工作原理、优缺点、应用场景等方面的内容。一、直接启动工作原理直接启动是指将电动机直接接入电网，通过电网提供的电压和电流来驱动电动机启动。在启动过程中，电动机的电流会瞬间达到额定电流的5-7倍，然后逐渐减小到稳定运行状态。优...[详细]