MT5C1608DJ-35LITTR,MT5C1608DJ-35LITTR pdf中文资料,MT5C1608DJ-35LITTR引脚图,MT5C1608DJ-35LITTR电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与MT5C1608DJ-35LITTR相近的元器件有：MT5C1608-35L、MT5C1608-35LXT、MT5C1608-35LIT、MT5C1608DJ-35LATTR、MT5C1608DJ-35LXTTR、MT5C1608-35LAT、MT5C1608DJ-35LAT、MT5C1608DJ-35LXT、MT5C1608DJ-35LIT。描述及对比如下：

型号	MT5C1608DJ-35LITTR	MT5C1608-35L	MT5C1608-35LXT	MT5C1608-35LIT	MT5C1608DJ-35LATTR	MT5C1608DJ-35LXTTR	MT5C1608-35LAT	MT5C1608DJ-35LAT	MT5C1608DJ-35LXT	MT5C1608DJ-35LIT
描述	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
零件包装代码	SOJ	DIP	DIP	DIP	SOJ	SOJ	DIP	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ,	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	SOJ,	SOJ,	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
针数	24	24	24	24	24	24	24	24	24	24
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant	unknown	unknown	unknown	not_compliant	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99
最长访问时间	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDIP-T24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24
长度	15.9 mm	31.495 mm	31.495 mm	31.495 mm	15.9 mm	15.9 mm	31.495 mm	15.9 mm	15.9 mm	15.9 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bi	16384 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24	24	24	24	24	24
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	125 °C	85 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C	-40 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	DIP	DIP	DIP	SOJ	SOJ	DIP	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.61 mm	4.32 mm	4.32 mm	4.32 mm	3.61 mm	3.61 mm	4.32 mm	3.61 mm	3.61 mm	3.61 mm
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	NO	YES	YES	NO	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	MILITARY	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE	MILITARY	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	MILITARY	INDUSTRIAL
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.67 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.67 mm	7.67 mm	7.62 mm	7.67 mm	7.67 mm	7.67 mm
厂商名称	Micron Technology	-	-	-	-	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	不符合	-	-	不符合	不符合	不符合	不符合
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-609代码	-	e0	e0	e0	-	-	e0	e0	e0	e0
封装等效代码	-	DIP24,.3	DIP24,.3	DIP24,.3	-	-	DIP24,.3	SOJ24,.34	SOJ24,.34	SOJ24,.34
电源	-	5 V	5 V	5 V	-	-	5 V	5 V	5 V	5 V
最大待机电流	-	0.00025 A	0.00025 A	0.00025 A	-	-	0.00025 A	0.00025 A	0.00025 A	0.00025 A
最大压摆率	-	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA	-	-	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA	0.09 mA
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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NVIDIA承认生产了太多的显卡新一轮清库存即将启动

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现代电源架构(AMP)联盟宣布增添一项新标准

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4G Americas和GSA报告均显示LTE网络快速扩张

分别来自行业贸易集团4G Americas和GSA组织的两份独立研究报告均显示，LTE在北美以及全球的投资都在逐渐增加。 “去年第四季度，北美的LTE 市场继续领先全球，整个季度新增200万用户，从而使用户总量达到530万，占到全球LTE用户总数的71%，也使北美成为全球第一大LTE市场。”4GAmericas表示其统计数据是来源于InformaTelecoms& Media。 ...[详细]
iPhoneSE2传闻！外媒曝第二代更名为iPhone XE

苹果在三月春季发布会上先后发布了第五代iPad mini、第三代iPad Air、第二代AirPods以及更新iMac产品线配置等等，可是产品中却缺少众人期待已久的的小屏旗舰手机“iPhone SE 2”。近日有消息称，在2019年要发布的iPhone SE第二代，似乎会更名为iPhone XE，来和已有的iPhone X系列保持一致。据悉，iPhone SE发布于2016年的春...[详细]
中美德英法位居人工智能和机器人学世界五强

近日，全球知名学术出版机构施普林格·自然向媒体发布信息称，最新出版的《自然》增刊“自然指数-AI(人工智能)和机器人学”显示，AI和机器人学领域美国仍处于明显领先位置，中国、德国、英国、法国位居其后，分列世界第二至第五位。新鲜出炉的“自然指数-AI和机器人学”增刊称，2015-2021年期间，在自然指数(Nature Index)所追踪的82种高质量自然科学期刊上，AI和机器人学方面的论文...[详细]
发改委：智能网联汽车将成为国家扶持重点

近日，国家发改委召开新闻发布会，国家发改委政策研究室副主任、发改委首位女性新闻发言人孟玮表示，国家发改委已启动国家智能汽车创新发展战略（以下简称“智能汽车战略”）起草工作，将明确未来一个时期我国智能汽车发展的战略方向、发展目标、主要路径、重点任务、保障措施，使其成为引领我国智能汽车发展的宏伟蓝图和行动纲领，并在战略中提出近期行动计划，确保战略尽早启动、有序实施。孟玮表示，国家发改委将从...[详细]
Facebook否认AI失控忘记设置英文语法了

最近引起轰动的AI失控事件可以追溯到上个月Facebook传出关闭智能对话机器人项目的消息。研究员对两个聊天机器人进行对话策略迭代升级,结果发现它们竟自行发展出了人类无法理解的独特语言,科研人员不得不对其进行人工干预。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 Facebook近日公开回应关闭AI失控语言事件,认为一些媒体的报道有失事实,造成不良影响。Facebook并没有关闭机器人聊天系统...[详细]
TI C64x+ DSP将数据密集型性能提升30%

2009 年 3 月 16 日，德州仪器 (TI) 宣布推出速度可达 1.2 GHz 与 1 GHz 的新型 TMS320C6457 数字信号处理器 (DSP)，其更高的性价比将使数据密集型信号处理应用的开发人员获益匪浅。与 TI 目前的单核 DSP 处理器相比，C6457 的性能可提升高达 30%，而成本可降低三分之一。性能的提升得益于存储器与高速缓存的数项改进，而体积更小的工艺节...[详细]
体育界正和AI界的产生奇妙交织：经典牵手的帽子戏法

最近留心体育行业的人会发现，体育界正和AI界产生奇妙的交织。西班牙当地时间8月5日，科大讯飞旗下消费者产品讯飞翻译机与皇家西班牙人足球俱乐部及武磊签约仪式在巴塞罗那正式举办。自此武磊正式成为科大讯飞翻译机首位品牌代言人，讯飞翻译机则成为皇家西班牙人足球俱乐部官方翻译合作伙伴。在人们的普遍印象里，体育明星接的代言大多是运动品牌。这次武磊与讯飞翻译机牵手，一个是国际足球赛事上知名的中国面...[详细]
苹果自研 Mac 芯片能否复制iPhone的成功

6 月 23 日，苹果在 WWDC2020 上宣布 Mac 系列产品将转换到苹果自研的 Arm 处理器。发布会上，苹果用一台基于 A12Z 芯片的电脑展示了微软适配的 Office 和 Adobe 的 Photoshop，同时也运行了苹果自己的 Final Cut Pro X 和 Logic Pro X。这意味着苹果即将结束同英特尔长达十五年的合作关系，在打造自己的生态链上更进一步。 ...[详细]
如何利用多传感器融合提高工业机器人性能

目前，很多大型工厂都有大量的工业机器人，它们与人力一起，为社会工业化生产创造了不仅其数的价值。但是，目前的工业机器人仍旧在不停地发生着技术上的改进，特别是伴随着MEMS加速度传感器、陀螺仪、压力传感器等智能化元器件的更新与改进，工业机器人也会借助传感器技术使它们变得更智能、使用更安全，从而激发提供更大的价值的诸多潜能。　　 MEMS技术让传感器更加小型化、智能化的同时，也提高了工业机器...[详细]
基于MPXY8020传感器的TPMS系统设计分析

随着全球汽车电子产业的兴起和人们对汽车安全的信息化、智能化的不断追求,汽车胎压监测系统(TPMS)成为继安全气囊和ABS之后的又一新兴汽车安全产业迅速发展。　　目前出现的TPMS主要分为间接式和直接式。间接式TPMS使用ABS轮胎速度传感器来测量每一个轮胎的转速,从而判断轮胎压力,该系统虽然具有不用电池、耐用性强等优点,但准确性、可靠性差。直接式TPMS系统主要用于汽车行驶时,能够适时地对...[详细]
Achronix帮助用户基于Speedcore eFPGA IP来构建Chiplet

中国上海，2023年8月——高性能FPGA芯片和嵌入式FPGA IP（eFPGA IP）领域内的先锋企业Achronix半导体公司日前宣布：为帮助用户利用先进的Speedcore eFPGA IP来构建先进的chiplet解决方案，公司开通专用网页介绍相关技术，以帮助用户快速构建新一代高灵活性、高性价比的chiplet产品， chiplet设计和开发人员可以透过该公司网站获得有关Speedco...[详细]
51单片机对SAA7113初始化和控制的程序

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科学家研发基于AI的身份验证工具可保护车辆免受网络攻击威胁

鉴于车辆的地理移动特性和资源限制，保护此类车联网（IoV）的隐私已经成为一个重大挑战。此外，车载单元（OBU）资源的有限性以及车辆嵌入式传感器的潜在缺陷，为攻击者提供了发起多种攻击的机会，使得问题更为严峻。据外媒报道，阿联酋沙迦大学（the University of Sharjah）、美国马里兰州大学（the University of Maryland）以及巴基斯坦的阿卜杜勒·瓦利·汗...[详细]