我用的是ISE13.3版本，综合工具为XST,器件选择为viertex5时，综合后仿真结果正确，可是换做Virtex6器件后，综合后仿真的结果就全出错了。上网查说是代码写的不严谨，不规范，说是产生锁存器等原因，或者有竞争冒险等。可是看着代码挺正常的。那位同学知道这情况，谢谢啦。用ISE13.3自带的综合工具XST分别在器件Virtex5和virtex6上综合后仿真结果不同综合后仿真的结果就全出错了。具体是啥错误？谢谢啦。已经正确了，是代码写的不完善。综合后出错了我也出现了这个情况，请问

PIC直接驱动TFT真彩色液晶模块资料免费的资料不错呵呵回复楼主gxkj001的帖子在给力点吧嘿嘿回复沙发gxkj001的帖子很好用谢谢分享谢谢支持哈呵呵回复4楼shenyun528的帖子正想玩玩tft索性看看顶顶楼主哈哈哈加油在给力点吧哈哈回复5楼gxkj001的帖子支持下回复7楼gxkj001的帖子学习中……恩恩有问题你可以咨询我回复9楼chnldq的帖子感谢分享.........顶了谢谢支持啊回复11

本帖最后由Sur于2014-11-2323:51编辑 先留个话题，这段时间慢慢讲，晶振几乎搞电子的都会知道，画个PCB几乎都会用到，倒是它有啥用，我们又该如何去辨别晶振呢？晶振又该如何检测呢晶振，是何物，有何作用，有何区分同时欢迎大家来畅所欲言说实话，讲晶振的资料很多，也很详细，奈何还是不能满足我的求知欲，于是决定好好看看，好好想想，好好写写借话题占个道，刚好前段时间回了一个帖子，问“上图中的systemoscillator、、Oscillator、、、、

三星一直是全球闪存颗粒的重要提供商，无论桌面市场还是移动市场，均占有强大的市场份额。近日，三星宣布已经制造出了业界首款LPDDR4的移动内存芯片，该芯片运行速率8Gb，相比DDR3的最高6Gb速度快50%，同时容量可提升至4GB，功耗降低40%，体积更小。　　技术参数方面，三星的新高速8GbLPDDR4移动DRAM，能够提供目前最高水平的密度、性能和能源效率，不仅响应更快，还支持更高级功能和2K以上高分辨率显示器，仅1.1V的功耗还能让电池寿命最大化。此外，DDR4内存芯片使用低电压摆幅终

Timson，如果您要查看本帖隐藏内容请回复LED寿命试验方法偷看一下。学习一下学习一下我也想看呐，，dddddddddd学习下！11111111111111学习看看是不是有用女女女女女女女女女女女女女看看有什么内容看看在说话看看是不是有用回复可见，怎么东都这样啊偷看一下期待看下:D...sle.....看看看看什麼方法呢??偷看haishikankan回复楼主探路者的帖子学习一下:$学习一下，谢谢！多谢

我想把元件的封装图在PCB里改一下，不知道可不可以，就是这个开关，改成别的样子的？我想问可不可以在PCB中直接该封装？PCB元件封装的问题说的不太清楚，一句话，就是开关的封装图改成别的，但是在pcb里改一下，要不太麻烦当然可以改了；拿个新的放上，各个管脚的网络设置一下，然后把旧的删掉就okZNF发表于2014-11-2017:13说的不太清楚，一句话，就是开关的封装图改成别的，但是在pcb里改一下，要不太麻烦 Altium最大的特点就是随意性第一种直接点P