【LED术语】GaN(gallium nitride)
由镓(Ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45eV(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(Si)要宽3倍。利用该特性,GaN主要应用于光元件。通过混合铟(In)和铝(Al)调整带隙,所获得的LED和蓝紫色半导体激光器等发光元件已经实用化。 GaN由于带隙较宽,可产生蓝色和绿色等波长较短的光。蓝色LED和蓝紫色半导体激光器,采用了在GaN中添加In形成的InGaN。除了带隙较宽以外,GaN还具有绝缘破坏电场高、电场饱和速度快、导热率高等半导体材料的优异特性。另外,