《图解入门——功率半导体基础与工艺精讲》 02 功率半导体工作原理 - Mosfet, IGBT
续接上篇学习Mosfet和IGBT: Mosfet工作原理:如之前内容介绍,mos管是通过在栅极施加电压,使栅极和漏极形成电流的沟道,以此来控制器件的开关动作,由于此构造,构成其输入阻抗很高特性。如下图,以N沟道Mos为例,VGSVT时,没有反型层的形成,漏极到衬底的PN结反偏。VGSVT时,已经创建了一个反型层,以便当施加一个小的漏极电压时,反型层中的电子将从源流到正漏极端。电流从漏极流入,源极离开。书中也给出了双极性晶体管和mos管的开关频率与开关损耗的关