CD4044BCJ,CD4044BCJ pdf中文资料,CD4044BCJ引脚图,CD4044BCJ电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与CD4044BCJ相近的元器件有：CD4043BMJ/883、CD4044BCN、CD4044BMN、CD4044BMJ、CD4043BCJ、CD4043BCN、CD4043BMN、CD4043BMJ。描述及对比如下：

型号	CD4044BCJ	CD4043BMJ/883	CD4044BCN	CD4044BMN	CD4044BMJ	CD4043BCJ	CD4043BCN	CD4043BMN	CD4043BMJ
描述	4000/14000/40000 SERIES, LOW LEVEL TRIGGERED R-S LATCH, TRUE OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16	4000/14000/40000 SERIES, HIGH LEVEL TRIGGERED R-S LATCH, TRUE OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16	4000/14000/40000 SERIES, LOW LEVEL TRIGGERED R-S LATCH, TRUE OUTPUT, PDIP16, PLASTIC, DIP-16	4000/14000/40000 SERIES, LOW LEVEL TRIGGERED R-S LATCH, TRUE OUTPUT, PDIP16, PLASTIC, DIP-16	4000/14000/40000 SERIES, LOW LEVEL TRIGGERED R-S LATCH, TRUE OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16	4000/14000/40000 SERIES, HIGH LEVEL TRIGGERED R-S LATCH, TRUE OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16	4000/14000/40000 SERIES, HIGH LEVEL TRIGGERED R-S LATCH, TRUE OUTPUT, PDIP16, PLASTIC, DIP-16	4000/14000/40000 SERIES, HIGH LEVEL TRIGGERED R-S LATCH, TRUE OUTPUT, PDIP16, PLASTIC, DIP-16	4000/14000/40000 SERIES, HIGH LEVEL TRIGGERED R-S LATCH, TRUE OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
包装说明	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP,	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP,	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
系列	4000/14000/40000	4000/14000/40000	4000/14000/40000	4000/14000/40000	4000/14000/40000	4000/14000/40000	4000/14000/40000	4000/14000/40000	4000/14000/40000
JESD-30 代码	R-GDIP-T16	R-GDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16	R-GDIP-T16	R-GDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16	R-GDIP-T16
逻辑集成电路类型	R-S LATCH	R-S LATCH	R-S LATCH	R-S LATCH	R-S LATCH	R-S LATCH	R-S LATCH	R-S LATCH	R-S LATCH
位数	4	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	16	16	16	16	16	16	16	16	16
最高工作温度	85 °C	125 °C	85 °C	125 °C	125 °C	85 °C	85 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-55 °C	-40 °C	-55 °C	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C	-55 °C
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
输出极性	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
传播延迟（tpd）	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	MILITARY	INDUSTRIAL	MILITARY	MILITARY	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
触发器类型	LOW LEVEL	HIGH LEVEL	LOW LEVEL	LOW LEVEL	LOW LEVEL	HIGH LEVEL	HIGH LEVEL	HIGH LEVEL	HIGH LEVEL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-	不符合
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	e0	e0	e0	-	e0
负载电容（CL）	50 pF	-	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
封装等效代码	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	-	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	-	DIP16,.3
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED
电源	5/15 V	5/15 V	3/15 V	-	3/15 V	5/15 V	3/15 V	-	3/15 V
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED
厂商名称	-	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
长度	-	19.43 mm	19.305 mm	19.305 mm	19.43 mm	-	19.305 mm	19.305 mm	19.43 mm

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技术前瞻：太赫兹芯片到底能干什么用

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PIC单片机设计的SPWM控制技术

本文采用软硬件结合设计的方法，利用面积等效法，并且基于PIC单片机实现对试验逆变系统的SPWM控制。目前SPWM的产生方法很多，汇总如下: 1)利用分立元件，采用模拟、数字混和电路生成SPWM波。此方法电路复杂，实现困难且不易改进； 2)由SPWM专用芯片SA828系列与微处理器直接连接生成SPWM波，SA828是由规则采样法产生SPWM波的，相对谐波较大且无法实现闭环控制； 3)利用C...[详细]
苹果发布新一代CarPlay 实现个性化驾驶体验

据外媒报道，6月6日，苹果在其年度软件开发者大会上发布了CarPlay软件的升级版。新一代CarPlay的车载功能得到进一步拓展，可向车辆内的多块显示屏发送内容，包含多媒体中控屏、数字仪表盘、娱乐显示屏等。图片来源：苹果用户可以添加行程信息、控制车内气候、查看天气、查看更新的导航信息、燃料和电池电量等。此外，该软件还可以适应不同的屏幕尺寸，并采用全新界面，就好像是一个iPad置...[详细]
光器件的产业概况和发展思路

　　光有源器件　　1.发展概况　　光有源器件是光通信系统中将电信号转换成光信号或将光信号转换成电信号的关键器件，是光传输系统的心脏。将电信号转换成光信号的器件称为光源，主要有半导体发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。将光信号转换成电信号的器件称为光检测器，主要有光电二极管(PIN)和雪崩光电二极管(APD)。近年来，光纤放大器成为光有源器件的新秀，当前大量应用的...[详细]
使用NI ELVIS、NI LabVIEW和NI Multi

使用NI ELVIS、NI LabVIEW和NI Multisim简化美国乔治亚理工学院电路设计教学 The Challenge: 　　实施一套利用实际信号教学理论电子工程概念的动手教案。　　The Solution: 　　结合NI LabVIEW和NI Multisim软件使用NI ELVIS集成设计平台，使用实际信号教授电路的理论、设计和原型开发知识。　　学生使用Mult...[详细]
没发布先探底揭秘iPhone 7P双摄像头技术

前不久，关于iPhone 7 Plus将会推出双摄像头版的消息被炒得火热。据悉，凯基证券分析师郭明池表示，iPhone 7将有三个版本，分别为一款小尺寸的iPhone 7和两种屏幕尺寸更大的iPhone 7 Plus，其中一款iPhone 7 Plus就将配备双摄像头系统，而该双摄像头技术就来自苹果已经并购一年多的LinX公司。按照郭明池的说法，这款iPhone 7 Plus的两个摄像头模...[详细]
蔚来将NIO Power独立拆分，如何筹谋这项充电业务的？

成立四年零八个月，累计亏损将近200亿元；登录纽交所10个月，股价和总市值几近腰斩。显然，对于蔚来而言，开源节流已经成为重要任务。在开源这条路上，除了新车型ES6，蔚来对重要的充电业务又是怎么筹谋的？近日，有消息称蔚来正筹划拆分旗下能源补给业务NIO Power，并寻求在今年第四季度完成独立融资，融资规模为数十亿元。消息中还指出该项目将由蔚来创始人、董事长兼CEO李斌及蔚来总裁秦力洪、蔚来...[详细]
高铁安全坚持“0”容忍集成商如何炼成

　　近日，中国国家发改委基础产业司副司长吴晓透露，“十二五”期间乃至未来十年，将是中国铁路发展的黄金期，预计“十二五”期间，快速铁路网(时速160公里以上)将达到4万公里，比“十一五”的2万公里目标翻一番，高铁投资规模将有望超过公路。虽然中国迎来高铁建设高潮，但高铁行业对集成商来说门槛高，圈子小，目前只有铁道部认证的“四电”(通信、信号、电力、电气化)系统集成商才有资格承担高铁“站后工...[详细]
LED驱动电源制作流程解析

　　 LED日光灯电源的设计和制作方法　　我是做开关电源的，原来做过适配器，充电器，铁壳开关电源。后来做LED电源，最初是做些1W,3W的大功率 LED驱动器，但后来做的少了。原因很简单，没有市场。我我做的开关电源里面，有一个集成MOS的开关电源芯片，还有一个变压器。这二者的成本就是放在那里的，当然性能也是放在那里的。但我相信，最终小功率LED恒流驱动器会将阻容降压电源淘汰掉。因为消费者...[详细]
采用高通骁龙sm6350芯片，比亚迪DiLink 4.0硬件参数曝光

经过十多年迭代发展，比亚迪DiLink智能座舱系统终于迎来4.0时代，其最大变化是，比亚迪首次将5G基带并入车机，采用了更高规格的处理器、更大的缓存，以及储存，让整套车机系统无论是硬件流畅水平，或是网络延时反应上都有了质的提升。今天，有消息人士向羊咩咩透露，比亚迪DiLink平台将会有两个版本升级量产，一个是现在使用的DiLink 3.0 4G平台，另一个是最新推出的DiLink ...[详细]
ST推出超低功耗性能STM32WB双核无线MCU

意法半导体的STM32WBx5 *双核无线微控制器(MCU)配备Bluetooth® 5、OpenThread和ZigBee®3.0**连接技术，同时兼备超低功耗性能。通过整合意法半导体的STM32L4 Arm® Cortex®-M4 MCU的功能与意法半导体内部开发的由一颗Cortex-M0 +专用内核管理的射频芯片，STM32WBx5既注重节能降耗，又能同时执行无线协议和实时任务...[详细]
格力电器副总裁望靖东辞职：曾被外界视作董明珠接班人之一

8月18日，格力电器发布公告称，董事会收到公司董事、副总裁、董事会秘书望靖东的书面辞职报告，望靖东因个人原因申请辞去公司董事、副总裁、董事会秘书职务。辞职后，望靖东不再担任公司任何职务。公告称，为保证董事会工作的正常进行，满足信息披露工作的需要，公司在未正式聘任新的董事会秘书期间，暂由公司董事张伟代行董事会秘书职责。截至公告日，望靖东直接持有公司股票88万股，占公司总股本的0．01％。望靖东...[详细]
半导体设计业销售有望达875亿元

中国国际半导体博览会（IC China 2013）13日在上海开幕。商报记者从会上了解到，今年是中国半导体产业收获年，IC设计业摆脱多年缓增格局恢复高速增长，全行业销售有望达875亿元，同比增长28.5%。据了解，以智能手机、平板电脑为代表的整机企业市场占有率大幅提升，促使国内本土IC代工封测企业提高了产能，国内IC设计业摆脱多年缓增格局恢复高速增长，全行业销售有望达875亿元，同比增长2...[详细]
数字万用表安全认证标准与安全使用

当你看到像UL、CSA、TUV等符号或读到“设计满足于….”这类话时，往往就会想到独立测试认证机构。你怎样能证明你的数字万用表满足CAtiII或CATII呢（见CATI、CATⅡ或CATⅢ等安全标准与定义一文）？很有可能生产厂家自己认为他的表满足CATIII或CATII，却没有经过任何独立认证。国际电子电工协会（IEC）仅开发并建议它的标准，但并不负责强迫实施这个标准。只有当一个产品经测试完全满...[详细]
不同型号的GD32 MCU如何区分？

大家是否碰到过以下应用场景：同一套软件代码希望跑在不同型号的GD32 MCU中，但有些地方需要根据MCU型号进行调整？或者上位机或其他MCU与GD32 MCU通信时需要知道对应的MCU型号是哪个？此时，我们就需要了解如何获取以及区分GD32 MCU的型号。 GD32 MCU的型号区分可以通过PID进行区分，PID定义如下图所示，该寄存器为只读寄存器，出厂被一次性编程，共4个字节，不同型...[详细]