参数对比

与MSM514256B-60RS相近的元器件有：MSM514256B-10JS、MSM514256BL-80ZS、MSM514256B-80RS、MSM514256B-70ZS、MSM514256BL-60ZS、MSM514256BL-10ZS、MSM514256B-70JS、MSM514256B-80ZS、MSM514256BL-10RS。描述及对比如下：

型号	MSM514256B-60RS	MSM514256B-10JS	MSM514256BL-80ZS	MSM514256B-80RS	MSM514256B-70ZS	MSM514256BL-60ZS	MSM514256BL-10ZS	MSM514256B-70JS	MSM514256B-80ZS	MSM514256BL-10RS
描述	Fast Page DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PDIP20	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO20	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PZIP20	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDIP20	Fast Page DRAM, 256KX4, 70ns, CMOS, PZIP20	Fast Page DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PZIP20	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PZIP20	Fast Page DRAM, 256KX4, 70ns, CMOS, PDSO20	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PZIP20	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDIP20
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明	DIP, DIP20,.3	SOJ, SOJ20/26,.34	ZIP, ZIP20,.1	DIP, DIP20,.3	ZIP, ZIP20,.1	ZIP, ZIP20,.1	ZIP, ZIP20,.1	SOJ, SOJ20/26,.34	ZIP, ZIP20,.1	DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
最长访问时间	60 ns	100 ns	80 ns	80 ns	70 ns	60 ns	100 ns	70 ns	80 ns	100 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T20	R-PDSO-J20	R-PZIP-T20	R-PDIP-T20	R-PZIP-T20	R-PZIP-T20	R-PZIP-T20	R-PDSO-J20	R-PZIP-T20	R-PDIP-T20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	1048576 bi	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bi	1048576 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	20	20	20	20	20	20	20	20	20	20
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOJ	ZIP	DIP	ZIP	ZIP	ZIP	SOJ	ZIP	DIP
封装等效代码	DIP20,.3	SOJ20/26,.34	ZIP20,.1	DIP20,.3	ZIP20,.1	ZIP20,.1	ZIP20,.1	SOJ20/26,.34	ZIP20,.1	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512	512	512	512	512	512	512
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.0002 A	0.001 A	0.001 A	0.0002 A	0.0002 A	0.001 A	0.001 A	0.0002 A
最大压摆率	0.09 mA	0.06 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.08 mA	0.09 mA	0.06 mA	0.08 mA	0.07 mA	0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO	NO	NO	NO	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	ZIG-ZAG	DUAL	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	DUAL	ZIG-ZAG	DUAL

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科学家开发出透明的柔性摩擦电发电机

　　据物理学家组织网7月10日报道，由美国佐治亚理工学院的科学家领导的一个研究小组称，他们日前开发出了一种透明的柔性摩擦电发电机。这种微型发电机能将散步这样的机械能转化为电，能“感觉”到一根羽毛飘落下来产生的压力，能用来制造自供电的触摸屏，在电子产品、环境监测以及医疗设备制造等领域具有巨大的应用潜力。摩擦电是自然界中最常见的一种现象之一，无论是梳头、穿衣还是走路、开车都能遇到。但同...[详细]
MEMS市场正呈现快速增长趋势

根据Yole Développement公司的分析，MEMS市场将以每年13%的速度增长，到2017年将达到210亿美元。 Yole Développement预期，动作感知和微流体领域将会呈现强劲增长并主导MEMS市场，到2017年会占整体市场份额的一半，而加速计、陀螺仪、磁强计和过滤器则占总体市场的25%，另外微流体占23%。 Yole预计，分立惯性传感器的市场份额将会下降，...[详细]
一种手持公交收费及信息统计装置的设计与实现

目前城市的交通拥堵现象比较严重。据有关新闻报道：在我国，交通拥堵现象己经从北京、上海、广州等特大城市扩展到一些大中城市：由城市内部局部的“点”拥堵，扩展成局部的“面”拥堵。在居民出行的早晚高峰时，拥堵现象更为明显，城市道路处于明显的饱和状态。据有关部门统计，我国因城市交通的不便，造成的经济损失每年都能达上千亿元。世界各国都非常重视公共交通的发展在解决城市交通拥挤问题上的作用，公交优先的原则也已成...[详细]
联发科爆缺货旺季恐蒙尘

业界传出，亚洲手机晶片龙头联发科因较低阶的射频（RF）晶片缺货，导致热卖的智慧手机晶片出货受阻，缺货情况可能持续至第3季底，冲击本季传统旺季营运。联发科昨（11）日强调，所有产品供应正常，没有任何缺货情况。联发科上半年智慧型手机晶片出货量约2,800万至2,900万套，其中，第2季2.75G的出货量已占其中一半，与3G不相上下。市场密切关注这一波RF晶片缺货，对联发科本季智慧型手机晶片...[详细]
评论：英特尔与AMD前景迥异

7月10日消息，据国外媒体报道，英特尔与AMD周一给半导体行业带来了两个形成鲜明对比的消息。英特尔周一收盘后宣布了其对荷兰半导体公司ASML控股(ASML Holding NV)的首个投资计划，英特尔将分两个阶段总共向ASML控股投资40多亿美元。另一方面，就在英特尔公布以上消息几分钟后AMD表示，由于其在中国及欧洲的渠道销售弱于预期，且疲软的消费者购买环境也对该公司业务产生了不利影响，预计...[详细]
解析LED点阵屏设计中蓝牙技术的应用案例

本文设计一种内容更新便捷、可扩展、低价格的点阵LED 文字显示屏。降低成本的途径是 ①用几乎人人都有的手机的蓝牙数据传输功能进行LED 显示内容的更新，免去专业上位机软件和控制卡的成本，操作也更简单; ②单次显示内容在5 ~ 30 个汉字或英文字母，因为显示内容较少，就可实现扩展电路的简单化。 1 系统设计方案 1. 1 系统组成系统由带蓝牙功能的智能手机和LED 显示屏组成。其中，...[详细]
AMD引领云价值的世界

根据最新的数据显示，现在大部分的企业都表示，花费在云计算项目采购上的资金将超过整体IT预算的10%。在2012年，全球的云计算服务收入将达到1488亿美元！在这个数据发达，云计算备受关注的年代，如此庞大的云计算市场，这绝对是一块香喷喷的大蛋糕，大家都想着如何去切割，所以如何更加实现价值云成了各个企业的重中之重。云计算的目的就是为了帮助企业真正地使用到云的价值，相信不用我说大家都知道了吧...[详细]
卫星导航：专项规划将出台产业井喷

　　从科技部获悉，《导航与位置服务科技发展“十二五”专项规划》预计下半年出台。首先突破三大核心技术，即泛在精确定位，全息导航地图，智能位置服务。其次开展三类应用示范，即研制导航与位置服务应用系统，开展公众、行业及区域应用示范。第三构建一个体系框架，即面向未来导航与位置服务需求，构建国家定位导航授时体系框架，开展技术实验和验证。先行实施产业布局的相关上市公司也将迎来千载难逢的发展机遇。　　科...[详细]
汽车电子满意度未如理想七成人仍愿为其付费

　　2011年年末，美国科技博客gigaom.com发表了一篇针对2011年的移动应用市场的回顾和关于2012年移动应用市场发展趋势的展望。文章指出在2012年的时候，语音控制呈爆炸式增长。这个结论主要源于2011年苹果iPhone4S引入的Siri技术，使得语音控制技术成为了业界关注的焦点。并且相信随着客户接受度的提高，到2012年会有更多的公司部署语音界面技术。NuanceCEO迈克·汤普森...[详细]
苹果海外现金总量740亿美元超微软和高通之和

北京时间7月11日早间消息，穆迪投资者服务机构(以下简称“穆迪”)发布最新报告称，苹果在美国科技公司中所持有的海外现金总量最高，约为 740亿美元。这一数字超出微软和高通665亿美元的海外现金总量之和。苹果去年12月海外现金总量为640亿美元，2010年底为350亿美元。　　穆迪分析师理查德·莱恩(Richard Lane)在投资者报告中援引美国证券交易委员会(SEC)的监管文件以及穆迪...[详细]
名家观点／Wintel质变各自垂直整合

英特尔投资41亿美元收购荷兰半导体设备厂ASML股权和出资支持其技术研究，和微软宣布收购大尺寸多点触控面板厂Perceptive Pixel，从Wintel（英特尔与微软）投资策略，可以窥知各自展开垂直整合的布局。由英特尔来看，半导体制造往18寸和20纳米以下发展，现在已经做到22纳米，估计明、后年台积电也可以进展到22纳米的程度。但22纳米挑战大，有很多选项，EUV（极速紫外光）是其中...[详细]
三星In-cell Toch技术威胁更胜Apple

近来市场上甚嚣尘上的一个消息是，iPhone 5 很可能会使用In-cell touch 的触控技术。这件事终于引起的大家的注意，一场In-cell touch技术的再进化已经悄悄的展开，这种大魄力、大格局的创新改变，将面板与触控产业紧紧的绑在一起。附图 : 三星的In-cell技术成功所带来的影响，对台湾的产业而言是全面性的！从已公告的专利来分析，已投入的主要厂商分别是美国的Ap...[详细]
Arrow/TI高可靠性产品和片芯解决方案研讨会

艾睿电子(Arrow Asia) 和德州仪器 (TI) 诚挚邀请您参与 " Arrow/TI高可靠性产品和片芯解决方案研讨会"。我们将与您分享增强型产品和技术在恶劣的外围环境和特殊的产品要求上的应用进行详细地讨论，并且介绍TI ADC/DAC、电源管理以及微处理器和DSP通用航空电子、电源摸块, 新能源、造船工业上等应用。我们还将为您的各种应用推荐来自TI高可靠性产品团队的各种片芯产品。...[详细]
SMA推出电弧故障断路光伏逆变器已获UL认证

光伏逆变器生产商SMA近日推出了第一款直流电弧故障断路(AFCI)光伏逆变器，并且已收到UL认证。新的SunnyBoyAFCI逆变器型号包括3000-US,3800-US,4000-US,5000-US,6000-US,7000-US和8000-US，可以检测和熄灭电弧故障，已经通过UL1699B测试，并且遵从美国国家电工标准(NEC)2011年690.11章节的光伏要求。该逆变器的综合设计并...[详细]
中国应加强动力电池开发并完善交流充电标准

　　在6月26～27日深圳举行的第三届（2012）国际新能源汽车高峰论坛上，北汽福田汽车工程研究院副总工程师李峰分析了动力电池厂商开发时存在的普遍问题：　　①对整车系统及运行工况缺乏了解；②只把动力电池作为孤立的零部件开发；③很少考虑与整车系统之间的相互影响，导致了系统层级的问题；④系统安全设计不足，缺乏FEMA分析，ASIL等级过低。提高动力电池BMS软件能力　　对于市场现有动力电...[详细]