VN3515L-P014-G,VN3515L-P014-G pdf中文资料,VN3515L-P014-G引脚图,VN3515L-P014-G电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与VN3515L-P014-G相近的元器件有：VN3515L-P002、VN3515L-G-P013、VN3515L、VN3515L-G、VN3515L-G-P002、VN3515L-P003、VN3515L-P013、VN3515L-G P003。描述及对比如下：

型号	VN3515L-P014-G	VN3515L-P002	VN3515L-G-P013	VN3515L	VN3515L-G	VN3515L-G-P002	VN3515L-P003	VN3515L-P013	VN3515L-G P003
描述	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	-	MOSFET	MOSFET	MOSFET	-
RoHS	Details	N	Details	N	-	Details	N	N	-
技术 Technology	Si	Si	Si	Si	-	Si	Si	Si	-
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	-	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	-
Number of Channels	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	-	1 Channel	1 Channel	1 Channel	-
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	350 V	350 V	350 V	350 V	-	350 V	350 V	350 V	-
Id - Continuous Drain Current	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA	-	150 mA	150 mA	150 mA	-
Rds On - Drain-Source Resistance	15 Ohms	15 Ohms	15 Ohms	15 Ohms	-	15 Ohms	15 Ohms	15 Ohms	-
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	20 V	20 V	20 V	-	20 V	20 V	20 V	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	-	- 55 C	- 55 C	- 55 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	-	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	-
Configuration	Single	Single	Single	Single	-	Single	Single	Single	-
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W	1 W	1 W	1 W	-	1 W	1 W	1 W	-
Channel Mode	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	-	Enhancement	Enhancement	Enhancement	-
产品 Product	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	-	-	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	-
Transistor Type	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	-	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	-
类型 Type	FET	FET	-	FET	-	-	FET	FET	-
Fall Time	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	-	65 ns	65 ns	65 ns	-
Rise Time	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	-	20 ns	20 ns	20 ns	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000	2000	2000	1000	-	2000	2000	2000	-
Typical Turn-Off Delay Time	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	-	65 ns	65 ns	65 ns	-
Typical Turn-On Delay Time	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	-	20 ns	20 ns	20 ns	-
单位重量 Unit Weight	0.016000 oz	0.007760 oz	0.016000 oz	0.007760 oz	-	0.016000 oz	0.007760 oz	0.007760 oz	-
高度 Height	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	-
长度 Length	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	-
宽度 Width	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	-

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