VN3515L-G,VN3515L-G pdf中文资料,VN3515L-G引脚图,VN3515L-G电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Microchip(微芯科技)

包装说明

GREEN PACKAGE-3

Reach Compliance Code

compliant

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

350 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.15 A

最大漏极电流 (ID)

0.15 A

最大漏源导通电阻

15 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大反馈电容 (Crss)

10 pF

JEDEC-95代码

TO-92

JESD-30 代码

O-PBCY-T3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

ROUND

封装形式

CYLINDRICAL

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

1 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

MATTE TIN

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

参数对比

与VN3515L-G相近的元器件有：VN3515L-P002、VN3515L-G-P013、VN3515L、VN3515L-P014-G、VN3515L-G-P002、VN3515L-P003、VN3515L-P013、VN3515L-G P003。描述及对比如下：

型号	VN3515L-G	VN3515L-P002	VN3515L-G-P013	VN3515L	VN3515L-P014-G	VN3515L-G-P002	VN3515L-P003	VN3515L-P013	VN3515L-G P003
描述	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET 350V 15Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Product Attribute	-	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-
产品种类 Product Category	-	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	-
RoHS	-	N	Details	N	Details	Details	N	N	-
技术 Technology	-	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	-
安装风格 Mounting Style	-	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-
封装 / 箱体 Package / Case	-	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	-
Number of Channels	-	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	-
Transistor Polarity	-	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	-	350 V	350 V	350 V	350 V	350 V	350 V	350 V	-
Id - Continuous Drain Current	-	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA	-
Rds On - Drain-Source Resistance	-	15 Ohms	15 Ohms	15 Ohms	15 Ohms	15 Ohms	15 Ohms	15 Ohms	-
Vgs - Gate-Source Voltage	-	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	-	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	-	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	-
Configuration	-	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	-
Channel Mode	-	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	-
高度 Height	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	-
长度 Length	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	-
产品 Product	-	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	-
Transistor Type	-	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	-
类型 Type	-	FET	-	FET	FET	-	FET	FET	-
宽度 Width	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	-
Fall Time	-	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	-
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	-	1 W	1 W	1 W	1 W	1 W	1 W	1 W	-
Rise Time	-	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	-	2000	2000	1000	2000	2000	2000	2000	-
Typical Turn-Off Delay Time	-	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	65 ns	-
Typical Turn-On Delay Time	-	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	-
单位重量 Unit Weight	-	0.007760 oz	0.016000 oz	0.007760 oz	0.016000 oz	0.016000 oz	0.007760 oz	0.007760 oz	-