英飞凌推出采用全新 EasyPACK™ C 封装的碳化硅功率模块

英飞凌推出采用全新 EasyPACK™ C 封装的碳化硅功率模块，助力提升工业应用的能效与使用寿命

【2025年10月29日, 德国慕尼黑讯】工业领域中的快速直流电动汽车（EV）充电、兆瓦级充电、储能系统，以及不间断电源设备，往往需要在严苛环境条件与波动负载的运行模式下工作。这些应用对高能效、稳定的功率循环能力以及较长的使用寿命有着极高的要求。为满足这些需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出了EasyPACK™ C 系列产品 ——EasyPACK™ 封装家族的新一代产品。该全新封装系列的首款产品为碳化硅（SiC）功率模块，集成了英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2技术，并采用了公司专有的.XT 互连技术。通过降低静态损耗并提高可靠性，这些模块有助于满足工业应用领域日益增长的能源需求，并助力实现可持续发展目标。

凭借英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET G2 技术，新产品较上一代 CoolSiC™ MOSFET功率密度提升超过30%，使用寿命延长高达 20 倍。此外，该产品的导通电阻（RDS(on)）显著降低约 25%。不仅如此，全新的 EasyPACK™ C 封装设计理念进一步提高了功率密度与布局灵活性，为未来更高电压等级的产品设计奠定了基础。而英飞凌的.XT 互连技术进一步延长了器件的使用寿命。

英飞凌CoolSiC™ MOSFET Easy 2C .XT

该系列模块可承受结温（Tvj(over)）高达 200°C 的过载开关工况。搭载全新 PressFIT 压接引脚，其电流承载能力提升一倍，同时降低PCB板的温度，并优化安装流程。全新的塑封材质与硅凝胶设计，支持该模块在最高 175°C 的结温（Tvj(op)）下依然稳定运行。此外，该系列模块还具备一分钟内耐受3千伏交流电的隔离等级。这些特性共同助力该模块实现更卓越的系统能效、更长的使用寿命，以及更出色的耐高温性能。

采用 EasyPACK™ C 封装的全新模块提供多种拓扑结构，包括三电平（3-level）和 H 桥（H-bridge）配置，且同时提供含/不含热界面材料的两种版本。

供货情况

首款采用 EasyPACK™ C 封装且集成 CoolSiC™ MOSFET G2 技术的模块现已上市。英飞凌计划进一步拓展产品组合，以满足不同应用领域不断变化的需求。