三星分享FD-SOI最新进展：18FDS+在2025年大规模量产

2025年9月25日，“第十届上海 FD-SOI 论坛”在上海举办。本次论坛由芯原股份、新傲科技和新傲芯翼主办，SEMI中国和SOI国际产业联盟协办。三星晶圆代工副总裁，技术规划部门2主管Taejoong Song分享了三星FD-SOI技术的最新动态。

据Taejoong Song分享，当前半导体产业正处于“AI驱动的爆发期”，代工市场作为产业链核心环节，增速显著跑赢整体半导体市场。数据显示，2030年全球半导体市场规模将达1万亿美元，而代工市场2029年规模预计突破2800亿美元，2024~2029年复合增长率达8%。

这一增长并非依赖单一领域，而是覆盖高性能计算（HPC）、汽车电子、移动终端、消费电子等多场景。目前，不同应用场景对制程需求呈现两极分化：HPC与高端移动终端依赖3~5nm先进制程，汽车电子、物联网、可穿戴设备等场景更青睐28nm、18nm等成熟制程，尤其对“低功耗、高可靠性、低成本”需求突出，而FD-SOI正是适配低功耗场景的最优解之一。

为满足不同场景低功耗需求，三星晶圆代工打造“先进制程+成熟工艺”双轮驱动的技术矩阵。其中，FD-SOI作为成熟工艺核心方向，已形成从28nm到18nm的完整产品链，同时通过GAA技术为未来低功耗场景预留升级空间。

具体到FD-SOI方面，三星28nm工艺（28FDS）已进入“规模化成熟阶段”。该工艺采用全耗尽沟道设计，配合体偏置（Body Biasing）技术与埋氧层（Buried Oxide）结构，漏电流与动态功耗低于传统28nm bulk工艺，累计出货晶圆量超35万片，广泛应用于物联网传感器、可穿戴设备MCU等场景。

三星18nm FD-SOI工艺（18FDS）实现“性能、功耗、面积（PPA）”全面突破。对比28FDS，其性能提升25%、功耗降低40%、芯片面积缩减35%，还集成先进的3.3V eZG器件与DPT BEOL（后端互连）技术，在保证低功耗的同时提升模拟性能与互连密度。

此外，三星推出18FDS+进阶版本，进一步优化射频（RF）特性与可靠性，可满足汽车电子、毫米波雷达等更高要求场景，预计2025年进入大规模量产阶段。

技术落地离不开生态支撑。为推动FD-SOI规模化应用，三星晶圆代工构建“SAFE合作伙伴体系”，联合EDA工具、IP、封装测试（OSAT）、设计服务等领域头部企业，为客户提供从设计到量产的全流程支持。

对于FD-SOI未来增长，三星持乐观预期。Taejoong Song指出，随着物联网、可穿戴设备、汽车区域控制器（Zonal Controller）等场景扩张，FD-SOI市场需求将持续攀升，预计未来3~5年，采用FD-SOI工艺的芯片出货量将实现翻倍增长，中国市场将成为核心驱动力，其低功耗芯片需求缺口显著。

未来，三星将进一步加大FD-SOI在中国市场的技术投入与合作力度。目前，三星正通过技术授权、联合研发等方式深化与中国本土企业合作，比如与芯原在FD-SOI IP与设计服务上的协作，已推动多款物联网芯片量产。