三星回应内存短缺:预计2028年结束
2026-03-16 来源:快科技
3月16日消息,如今内存芯片已经进入了史上最强的超级牛市,价格不断飙升,而且产能非常紧缺,智能手机、PC等行业面临巨大冲击。
当地报道指出,三星电子半导体内部已经开始担心,当前由存储芯片供应紧张带来的繁荣可能只会持续一到两年,之后市场可能再度进入下行周期。
其内部认为,全球存储芯片市场可能在2028年前后出现转折。
因此,三星一方面希望抓住AI带来的高利润机会,另一方面也在努力提升运营效率,避免再次出现过度投资。
SK海力士此前也表示,他们在扩大产能方面将保持谨慎。
据悉,此次内存短缺并非短期波动,而是由生成式AI技术革命引发的长期结构性缺口,核心矛盾集中在高端产品与产能分配。
目前全球AI需求大涨,单台AI服务器的DRAM和NAND需求分别是普通服务器的8-10倍,而HBM(高带宽内存)作为AI服务器核心标配,供需缺口高达50%-60%。
2026年HBM市场规模预计增长近60%,占DRAM市场近四成份额,三星、SK海力士的DRAM总销售额中,HBM占比均已超一半。
三星等三大存储原厂将70%以上的新增及可调配产能优先分配给HBM、先进DRAM,导致低容量NAND等消费级存储供应紧张,主流DDR4 8Gb颗粒价格从2025年低点的3.2美元飙升至15美元,涨幅达369%。
这一轮内存暴涨导致手机、电脑等终端产品成本飙升,部分厂商被迫涨价或调整配置,全球智能手机出货量预计因成本压力同比下滑12.9%。
相关文章
- 三星代工迎来大逆转!接连拿下NVIDIA、Tesla、AMD大单:Q4有望扭亏
- 三星电子:HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程
- 曝三星计划在美国得州泰勒建立第二座芯片厂,规模与第一工厂相当
- 内存价格疯涨倒逼厂商停产性价比机型
- 英伟达罕见入局内存研发:联手三星共同推进铁电NAND商业化
- 三星电子:2nm 良率爬坡好于预期,泰勒晶圆厂预计年底完成首批流片
- 消息称特斯拉计划就大幅提升AI6芯片产能规模与三星电子磋商
- 消息称三星电子 FOPLP 先进封装研发转而聚焦 415mm × 510mm 基板
- 是德科技与三星携手NVIDIA展示端到端AI-RAN验证工作流程
- 美光预测:L4 自动驾驶汽车将需超 300GB 内存
- 半年翻三倍!三星2nm良率涨至60%以上:紧追台积电
- 倪光南:半导体行业不再是先进制程包打天下的局面
- 意法半导体与英伟达合作加快物理AI全面普及和市场增长
- 贸泽电子荣获海关AEO高级认证 ——迈向国际贸易合规与供应链安全重要里程碑
- 全国首条 8 英寸硅光芯片量产线在苏州开工建设,预计 2027 年初投产
- 不只是PCB工具:拆解 Altium Develop 背后的平台化雄心
- Agentic AI时代,RISC-V如何突围?玄铁给出了答案
- All in AI再落一子:深度解读安谋科技“玲珑”V560/V760
- 资腾亮相SEMICON China展示CMP超洁净刷轮,助力先进制程良率提升
最新频道文章




