9mΩ车规级GaN FET：打破功率氮化镓能效天花板？

近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009系列650V 9mΩ车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。这款符合汽车AEC-Q101标准的650V氮化镓分立器件，以全球最小的9mΩ导通电阻（Rds(on)），将为新能源汽车、工业电机、储能系统、光伏逆变等多领域带来更多技术突破的可能，引起行业内关注。

图片来源：镓未来

#镓未来 指出，当行业还在为15mΩ的导通电阻参数竞争时， G2E65R009系列产品直接将这一数值缩小至9mΩ。这带来了众多影响：

导通损耗降低60%：相比传统硅基IGBT，其开关损耗和导通损耗均降低60%以上，相当于每台新能源汽车电机控制器可减少约150W的无效功耗，对应续航里程提升3%~5%；

热管理革命：仅为9mΩ的超低导通电阻配合TO-247PLUS-4L和ITO-247PLUS-3L封装的优异散热设计，热阻低至0.2℃/W相较传统SiC MOSFET降低约40%；

效率跃升：经过镓未来实验室实测，在P-out为5.3kW时，峰值效率可达99.35%；

功率翻倍：单颗分立器件支持高达20kW的功率输出 ，稳居行业顶尖水平。可以满足更多大功率应用场景需求，实现高功率密度和高设计自由度的结合。

目前，该产品已与多家头部车企及核心Tier1供应商携手，进入实质性的研发验证阶段，共同推进技术落地与应用升级。