X
半导体器件物理 （施敏 台湾交通大学）
共46课时 6小时16分23秒秒
简介
本课程的内容由浅而深循序渐进，从基础的物理和电容器结构的基本运作，接续讨论MOSFET及NVSM之结构与操作，可让修课的学生一窥半导体最重要元件的奥妙。
1. 半导体物理(Semiconductor Physics)
2. p-n接面的概念(p-n Junction)
3. 金氧半电容(MOS Capacitor)
4. 金氧半场效晶体管(MOSFET)
5. 非挥发性半导体内存(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM)
施敏（Simon M·Sze） 美国国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专家，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国国家工程院院士，中国工程院外籍院士。
1936年出生，1957年毕业于台湾大学，1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位，1963年至1989年在贝尔实验室工作。2014年5月14日受聘哈尔滨工业大学荣誉教授。
施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。
他在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元，是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。
施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
1936年出生，1957年毕业于台湾大学，1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位，1963年至1989年在贝尔实验室工作。2014年5月14日受聘哈尔滨工业大学荣誉教授。
施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。
他在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元，是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。
施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
章节
- 课时1：摘要 (1分44秒)
- 课时2：课程介绍 电子与半导体产业的演进 (9分4秒)
- 课时3：半导体原件基本架构与类型、半导体原件与电路技术发展 (10分41秒)
- 课时4：元件技术发展走势 (5分59秒)
- 课时5：半导体材料与晶体结构 (20分4秒)
- 课时6：价键与能带 (13分23秒)
- 课时7：本质载子浓度 (16分47秒)
- 课时8：施体与受体 (18分19秒)
- 课时9：载子漂移drift 1 (12分20秒)
- 课时10：载子漂移drift 2 (15分17秒)
- 课时11：载子扩散diffusion (7分53秒)
- 课时12：载子产生与重合 (10分59秒)
- 课时13：连续方程式 (18分39秒)
- 课时14：热发射thermionic_emission与穿隧 (6分43秒)
- 课时15：空间电荷与高电场效应 (11分33秒)
- 课时16：基本半导体技术 (8分26秒)
- 课时17：热平衡状态 (12分33秒)
- 课时18：空乏区与空乏电容1 (12分15秒)
- 课时19：空乏区与空乏电容2 (10分25秒)
- 课时20：电流电压特性1 (16分42秒)
- 课时21：电流电压特性2 (12分10秒)
- 课时22：储存电荷 (5分19秒)
- 课时23：接面崩溃 (13分37秒)
- 课时24：理想MOS电容器1 (5分57秒)
- 课时25：理想MOS电容器2 (5分46秒)
- 课时26：SiO2Si MOS电容器 (4分48秒)
- 课时27：绝缘层中的载子传输与崩溃 (6分59秒)
- 课时28：MOSFET简介 (5分55秒)
- 课时29：基本操作特性1 (5分56秒)
- 课时30：基本操作特性2 (5分46秒)
- 课时31：元件类型与启始电压阈值电压 (5分10秒)
- 课时32：短通道效应 (3分38秒)
- 课时33：元件结构与设计 (6分3秒)
- 课时34：CMOS逆变器及新型MOSFET简介 (5分17秒)
- 课时35：MSRAMDRAM与半导体简介 (5分10秒)
- 课时36：非易失性半导体存储器NVSM简介 (3分52秒)
- 课时37：浮栅概念 (4分4秒)
- 课时38：浮栅NVSM的历史发展 (6分37秒)
- 课时39：NVSM的应用 (4分58秒)
- 课时40：扩展挑战 (2分56秒)
- 课时41：替代设备结构 (3分44秒)
- 课时42：专访一 对大三学生的期勉 (1分35秒)
- 课时43：专访二 不用手机的发明家 (2分18秒)
- 课时44：专访三 那一年我们一起待的bell lab (4分25秒)
- 课时45：专访四发明NVSM (2分31秒)
- 课时46：专访五 对未来科技业的预言 (2分6秒)
热门下载
热门帖子