本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: MOSFET简介继续观看 课时1:摘要 课时2:课程介绍 电子与半导体产业的演进 课时3:半导体原件基本架构与类型、半导体原件与电路技术发展 课时4:元件技术发展走势 课时5:半导体材料与晶体结构 课时6:价键与能带 课时7:本质载子浓度 课时8:施体与受体 课时9:载子漂移drift 1 课时10:载子漂移drift 2 课时11:载子扩散diffusion 课时12:载子产生与重合 课时13:连续方程式 课时14:热发射thermionic_emission与穿隧 课时15:空间电荷与高电场效应 课时16:基本半导体技术 课时17:热平衡状态 课时18:空乏区与空乏电容1 课时19:空乏区与空乏电容2 课时20:电流电压特性1 课时21:电流电压特性2 课时22:储存电荷 课时23:接面崩溃 课时24:理想MOS电容器1 课时25:理想MOS电容器2 课时26:SiO2Si MOS电容器 课时27:绝缘层中的载子传输与崩溃 课时28:MOSFET简介 课时29:基本操作特性1 课时30:基本操作特性2 课时31:元件类型与启始电压阈值电压 课时32:短通道效应 课时33:元件结构与设计 课时34:CMOS逆变器及新型MOSFET简介 课时35:MSRAMDRAM与半导体简介 课时36:非易失性半导体存储器NVSM简介 课时37:浮栅概念 课时38:浮栅NVSM的历史发展 课时39:NVSM的应用 课时40:扩展挑战 课时41:替代设备结构 课时42:专访一 对大三学生的期勉 课时43:专访二 不用手机的发明家 课时44:专访三 那一年我们一起待的bell lab 课时45:专访四发明NVSM 课时46:专访五 对未来科技业的预言 课程介绍共计46课时,6小时16分23秒 半导体器件物理 (施敏 台湾交通大学) 本课程的内容由浅而深循序渐进,从基础的物理和电容器结构的基本运作,接续讨论MOSFET及NVSM之结构与操作,可让修课的学生一窥半导体最重要元件的奥妙。 1. 半导体物理(Semiconductor Physics) 2. p-n接面的概念(p-n Junction) 3. 金氧半电容(MOS Capacitor) 4. 金氧半场效晶体管(MOSFET) 5. 非挥发性半导体内存(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM) 上传者:抛砖引玉 猜你喜欢 扩频调制可降低汽车 LED 驱动器 EMI 集成MEMS传感系统设计与应用 研讨会 : 单片机编程不再难,利用MPLAB®代码配置器(MCC)实现快速开发 仪表放大器:常见的应用问题和解决方案 基础教程:运算放大器和专用放大器的应用和常识 AliOS Things 和 TI Simplelink 的完美结合让物联网设计更加便捷 动画解析各种电动机工作原理 据说是比wi-fi快100倍的无线技术,一起来看看吧 热门下载 热门帖子 网友正在看 Allegro软件的状态栏的具体的含义是什么呢? 智能拐杖项目介绍 类型转换与采样 北京大学课程:电磁学16 远程视频包装开孔 Week 6 – Lecture- CNN applications, RNN, and attention 代码化简练习1说明 并联比较型A_D转换器