本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 电流电压特性1继续观看 课时1:摘要 课时2:课程介绍 电子与半导体产业的演进 课时3:半导体原件基本架构与类型、半导体原件与电路技术发展 课时4:元件技术发展走势 课时5:半导体材料与晶体结构 课时6:价键与能带 课时7:本质载子浓度 课时8:施体与受体 课时9:载子漂移drift 1 课时10:载子漂移drift 2 课时11:载子扩散diffusion 课时12:载子产生与重合 课时13:连续方程式 课时14:热发射thermionic_emission与穿隧 课时15:空间电荷与高电场效应 课时16:基本半导体技术 课时17:热平衡状态 课时18:空乏区与空乏电容1 课时19:空乏区与空乏电容2 课时20:电流电压特性1 课时21:电流电压特性2 课时22:储存电荷 课时23:接面崩溃 课时24:理想MOS电容器1 课时25:理想MOS电容器2 课时26:SiO2Si MOS电容器 课时27:绝缘层中的载子传输与崩溃 课时28:MOSFET简介 课时29:基本操作特性1 课时30:基本操作特性2 课时31:元件类型与启始电压阈值电压 课时32:短通道效应 课时33:元件结构与设计 课时34:CMOS逆变器及新型MOSFET简介 课时35:MSRAMDRAM与半导体简介 课时36:非易失性半导体存储器NVSM简介 课时37:浮栅概念 课时38:浮栅NVSM的历史发展 课时39:NVSM的应用 课时40:扩展挑战 课时41:替代设备结构 课时42:专访一 对大三学生的期勉 课时43:专访二 不用手机的发明家 课时44:专访三 那一年我们一起待的bell lab 课时45:专访四发明NVSM 课时46:专访五 对未来科技业的预言 课程介绍共计46课时,6小时16分23秒 半导体器件物理 (施敏 台湾交通大学) 本课程的内容由浅而深循序渐进,从基础的物理和电容器结构的基本运作,接续讨论MOSFET及NVSM之结构与操作,可让修课的学生一窥半导体最重要元件的奥妙。 1. 半导体物理(Semiconductor Physics) 2. p-n接面的概念(p-n Junction) 3. 金氧半电容(MOS Capacitor) 4. 金氧半场效晶体管(MOSFET) 5. 非挥发性半导体内存(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM) 上传者:抛砖引玉 猜你喜欢 直播回放: TI无线产品更新:Wi-Sun标准助力智慧城市建设 嵌入式实时操作系统VxWorks介绍 工程师应该掌握的20个电路 具有Qi无线充电功能的智能篮球 通过 FPD-Link 连接 J6 和汽车显示器 看懂uboot的神秘面容 How to read an OPAMP's Data Sheet 应用于电容式触摸的ITO温控器 热门下载 热门帖子 网友正在看 模糊类神经网络控制系统 2. 混合学习演算法 Modeling of Nonholonomic Wheeled Mobile Robots OneOS clocksource设备驱动接口及配置方法 电阻应变片(计)的工作原理 实验零 体验一个例程的编译与下载 网络化仪器与自动测试系统概述 系统硬件 第五部分 第10课 卫星通信系统 CC2640R2F长通信距离测试