直播回放: 基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见-EEWORLD大学堂

直播回放: 基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见

共1课时 42分26秒秒

简介

无论是开关电源还是马达驱动，工程师们通常都在孜孜不倦地追求三“高”：更高的效率，更高的功率密度，以及更高的可靠性。可是现有PCB空间已经非常狭小了，如何实现这些目标？这通常困扰着设计工程师。为了解决大家困扰已久的问题，英飞凌创新地推出了基于Source-down技术的全新功率OptiMOS™ MOSFET，就是为了帮助客户工程师解决这些设计挑战。本次直播英飞凌与合作伙伴品佳集团一起为您全面详细的介绍英飞凌创新的OptiMOS™ MOSFET。为您今后的设计提供新的思路，绝对物有所值。

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课时1：基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET (42分26秒)

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