本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： introduction of cmos process（4）继续观看 课时1：analog & Mixed Signal Integrated Circuit（1） 课时2：analog & mixed signal integrated circuit（2） 课时3：analog & mixed signal integrated circuit（3） 课时4：analog & mixed signal integrated circuit（4） 课时5：analog & mixed signal integrated circuit（5） 课时6：analog & mixed signal integrated circuit（6） 课时7：introduction of cmos process（1） 课时8：introduction of cmos process（2） 课时9：introduction of cmos process（3） 课时10：introduction of cmos process（4） 课时11：introduction of cmos process（5） 课时12：introduction of cmos process（6） 课时13：basic cmos device physics（1） 课时14：basic cmos device physics（2） 课时15：basic cmos device physics（3） 课时16：basic cmos device physics（4） 课时17：basic cmos device physics（5） 课时18：basic cmos device physics（6） 课时19：basic cmos device physics（7） 课时20：basic cmos device physics（8） 课时21：basic cmos device physics（9） 课时22：basic cmos device physics（10） 课时23：basic cmos device physics（11） 课时24：basic cmos device physics（12） 课时25：analog cmos subcircuits（1） 课时26：analog cmos subcircuits（2） 课时27：analog cmos subcircuits（3） 课时28：analog cmos subcircuits（4） 课时29：analog cmos subcircuits（5） 课时30：analog cmos subcircuits（6） 课时31：analog cmos subcircuits（7） 课时32：analog cmos subcircuits（8） 课时33：analog cmos subcircuits（9） 课时34：analog cmos subcircuits（10） 课时35：analog cmos subcircuits（11） 课时36：analog cmos subcircuits（12） 课时37：analog cmos subcircuits（13） 课时38：analog cmos subcircuits（14） 课时39：cmos amplifier（3） 课时40：cmos amplifier（4） 课时41：cmos amplifier（5） 课时42：differential amplifiers（1） 课时43：differential amplifiers（2） 课时44：differential amplifiers（3） 课时45：differential amplifiers（4） 课时46：differential amplifiers（5） 课时47：differential amplifiers（6） 课时48：differential amplifiers（7） 课时49：operational amplifiers（1） 课时50：operational amplifiers（2） 课时51：operational amplifiers（3） 课时52：high peformance coms op-amps（1） 课程介绍共计52课时，19小时18分30秒 《模拟与混合CMOS集成电路设计》（浙大版） 模拟CMOS集成电路设计中用到的各种有源及无源器件的工艺实现方法、工作原理以及模型。作为优秀的模拟集成电路设计者，只有深入地掌握了各种器件的工作原理和特性后，才能设计出高质量的模拟集成电路。 上传者：量子阱 猜你喜欢 采用低成本、低功耗CPLD开发套件制作音乐，实现更多功能 POS 打印机 / 打印机专场 Atmel AVR设计入门 - 如何配置GPIO Atmel Edge原理图103 Fairchild 仙童 Power Supply WebDesigner 在线电源设计工具介绍 微软CEO发表CES开幕演讲 Altium Designer常见问题解答500例视频合集 Atmel SAM D21 USB接口模块（二） 热门下载 浅谈检测／校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机＋CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 CCS5.5连板子debug进不去芯片，卡在launch 背景：之前ccs5.5是可以使用的，但是之后下载了一个ccs7.4，打开的workspace是ccs5.5的，提示打开的是低版本的workspace，我直接进去了，还烧录了程序。之后我进入ccs5.5后，提示说，打开的是7.4运行过的高版本，我也点确定了。问题：打开一个工程，debug的时候，会卡在图一这里而且感觉没有之前加载芯片的那个launch，之后加载gel文件这里connecttarget也是灰色的（如图2），不能点击，最后加载.out文件后，跑到一半ccs就会卡死，闪退。 Aguilera 渗碳控制 我现在搞渗碳处理的微机控制系统.要用到c51,可是我一点都不懂!其实是比较简单的,我们只要做一个微机控制系统就够了,具体的渗碳处理机的结构,材料等不需要考虑。没学过单片机都自学的比较吃力，请哪位大侠帮帮忙啊渗碳控制渗碳处理这个我不懂，呵呵咱们交流一下相互提高？同时检测渗的厚度吗？还是根据经验，温度，浓度等就确定了时间？ yuyijun MCS-51直接寻址问题 在书上看到MCS-51可以直接寻址的操作数存储空间为内部RAM的低128字节（00H-7FH）和特殊功能寄存器（80H-FFH），对于52子系列其内部RAM空间的80H－FFH不能直接寻址，那54和58系列呢，另外寻址的意义在哪，直接操作不就完了，为什么要寻址还有单片机的数据传送指令，对于不同的源操作数和目的操作数都有规定，大家是不是都是把这些背下来的，我感觉又乱又多MOVA,#34H;A=34HMOVR0,A;R0=34HMOV@R0,#56H zjjone1023 DXP FUNCTION原理图的功能（dxp）?DXP描述不清晰 用DXP画FUNCTIONBLOCKDIAGRAM原理图的意义？ zhonghuadianzie 求助，车后排娱乐没有声音，主控是MSTAR的一款MST779-0051芯片 朋友车后排娱乐一直没有声音，中控屏设置了也不好用，后来拆下来看了一下里边，也没找到音频输出的地方。拆开看到里边是MSTAR的一款MST779-0051芯片，找到的数据手册只有寄存器配置，没有引脚定义。现在不确定是我们没弄明白，还是这东西就没准备让后排的人听到声音，有懂的没？这个是拆解研究过程的视频：求助，车后排娱乐没有声音，主控是MSTAR的一款MST779-0051芯片先得确认配置，后排娱乐首先得安装音箱、显示屏之类，还是先去问问买车时的销售员吧，别克扣了配置变 littleshrimp 传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？ 传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？ 1.封装小，内阻低，结温高，热阻小，结电容小、Id大，vth小的，这种传统的低压大电流的一代半导体硅MOS和三代半导体氮化镓GAN相比有哪些优缺点和异同点？(比如耐压60V以上，封装小，内阻低，热阻低、结电容小、结温高，Id大，vth小的) 2.像这种低压、大电流、小体积、小内阻的MOS有哪些国产厂商在做？帮忙推荐几个做得好的厂家 3.COOLMOS、氮化镓GAN、碳化硅SiC、砷化镓Ga QWE4562009 网友正在看 小波与滤波器组 算法理论 模拟电子技术基础07 artwork设置输出与输入 1.5.1_ICMP协议 例8-10 测量文件的写入 第二章-09-枚举类型 理解模拟器件如何应对器件损坏和瞬变
