高掺杂情况下会发生雪崩击穿吗，低掺杂情况下会发生齐纳击穿吗？一般来说反向击穿电压7V时为雪崩击穿，那这个时候会发生齐纳击穿吗？（两种击穿状态共存）反向击穿电压5V时为齐纳击穿，这时会发生雪崩击穿吗？（两种击穿状态共存）\0\0\0eeworldpostqq关于PN结击穿，初学者百思不得其解的问题楼主把雪崩击穿和齐纳击穿描述得好象有误。这个最基础的问题，网上有很多好帖，可以找一找。这里给你提供一篇：http://wenku.baidu.com/link?url=...fWn

这几天都在高温试验，好浪费时间，从3W到20W的驱动；有个别种类的常温正常高温却过不了，最有可能就是磁饱和了；其次就是个别器件是否温度曲线不好，导致高温时一些性能下降等等；3W的低成本方案的驱动只能做到50度，估计过不了了，伤心啊，因为磁芯是EE13的，B估计0.4本来这款是最有把握的产品，真没想到灯壳里的温度会是50度以上？一开始还以为灯内的温度也有45度左右，那可多好；5-7W的那款高温最好，因为B才0.2；磁芯够大；电流一点减小都没有；虽然这2款都是原边反馈的；

我将ucosII（邵贝贝译）内中的第一个例子，即:创建11个用户任务,随机显示0-9的数字.我将静态显示部分修改如下:Example1#=Example1#maxiaolin,然后,在cmd下进入程序目录,用maketest重新编译,链接得到更新的test.exe文件,之后,运行test.exe,其结果与先前例子中结果一样,没有任何改变!为什么?(我已将BC4.5解压至C盘)我后来修改了一下其它地方,包括将显示数字改为字符\'A\',但结果同样如此,为什么?我刚开始学

如题，XR16580扩展串口芯片的寄存器可以读但是不可以写，每次读的都是初始值，调试了很长时间了，望高手帮忙！！扩展串口芯片的8位寄存器可读但不可写？？处理器为PXA270写操作没使能吧,或者你写了，写错了位置。可以读，不可以写，我估计是你的读也是错误的。你能读出来他的默认值吗？也就是开机的时候的默认值。你能读出来吗？你现在可以读出来，但很大可能是错误的数值。所以，你现在应该是读写都有问题。排除硬件的话，读写时序问题，或者IO扣配置的问题，很大可能性。引用楼主koukou

之前错把417芯片的程序烧到449芯片上去了，然后仿真器红灯（mode）常亮无法烧写程序，后来降级了下仿真器固件程序，现在黄灯（power）会亮了，但是烧录的时候两个灯都亮，程序还是无法烧录进去。报错显示界面如下。我想我接线应该是正常的吧，东西都没动过，求教预计问题出在哪里？430仿真器程序无法烧写。先确定仿真器是否正常，然后看看IAR选择的MCU是否正确，确定接线是否接线正确，有可能接线不对或者没接好 {:1_122:}{:1_122:}{:1_122:}应该不是线没接好的问题，拿别

适用于200V交流伺服驱动器的三相高PWM频率GaN逆变器参考设计 设计详情 下载原理图 下载设计指南 下载设计文件GaN参考设计 高效率和高功率密度1kW谐振转换器参考设计（包含TIHVGaNFET） 设计详情 下载原理图 下载设计指南 下载设计文件 适用于高速驱动器的48V/10A高频率PWM3相GaN逆变器参考设计