1、芯片发热　这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点

在官网申请了几次都没收到链接，不知道以前的StellarisWare能否使用。launchpad到手，谁有软件去TI的官网下载啊MDK不就行么刚用cmcc上传了一个巨卡传传就变成秒速的了你试试http://pan.baidu.com/s/1rEXia一个是TM4C123的一个是比较大些的好像包括别的型号的这个怎么用啊，我安装的是CCS4.2怎么处理才能开发这款单片机啊回复4楼ddlxiaoxu的帖子那个里面就是各种文件驱动库usb库图形库

最近碰到了一个问题，想编写一个虚拟打印机驱动，但是不知道从哪下手，不知哪位大哥有相关的资料或者是代码给小弟参考参考？谢谢！请发到hjy82919@163.com虚拟打印机驱动的开发开源项目pdfcreator可以作到有相关源代码下载地址吗？问题解决了。咱解决的？能否告诉一下子：）,beelzebub2006@163.com

变压器(Transformer)是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置，主要构件是初级线圈、次级线圈和铁芯(磁芯)。主要功能有：电压变换、电流变换、阻抗变换、隔离、稳压(磁饱和变压器)等。电路符号常用T当作编号的开头.例:T01,T201等。　　1.变压比：n　　变压器的变压比表示了变压器一次绕组匝数与二次绕组匝数之间的关系，变压比参数表征是降压变压器还是升压变压器，还是1:1变压器。变压比N由下式计算：　　n=一次匝数/二次匝数=一次电压/二次电压　　

怎么用周期法测量低频率，要求用汇编写，测量频率为1Mhz以下，程序原理也行单片机周期法测量低频率可利用沿中断，在第一次沿中断来临时启动定时器，第二次停止，此间计时长度即为周期，再换算成频率即可。有inputcapture功能的定时器会好用很多。路过看看，学习一下电压比较器产生中断输入..进行计数 能详细点吗吗，用周期法，计算方波一个周期内的机器周期个数，知道方波一个周期的时间，但是之后怎么算一个周期时间倒数就是频率啊，用汇编语言测频率这个有一些方法了最常用的就是定一秒钟

这两个NMOS能不能互相替代如果可以的话需要注意什么？谢谢这两个NMOS能不能互相替代如果可以的话需要注意什么？谢谢具体能不能代替，一般Id、Vds和Vgs相差不多基本就行，主要参数与原晶体管兼容即可如果考虑全面开启阈值Vth相当内阻Rdson大小和PD功率耗散能力应与原晶体管相当或更高如果只是一个管子的电路，更换管子型号考虑的因素可以少些，如果是桥式放大器的输出，有四个管子工作时，就尽量用原来同型号的管子。象大电流输出时有多个并联的管子工作时，