本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： 时序逻辑电路——无竞争动态结构继续观看 课时1：课程介绍 课时2：集成电路产业 课时3：摩尔定律 课时4：集成电路发展史 课时5：MOS管结构及IV特性 课时6：MOS管二阶特性 课时7：MOS管跨导及电阻做负载的共源级放大器 课时8：MOS器件的小信号模型 课时9：MOS器件电容 课时10：MOS管的本征增益 课时11：大信号和小信号 课时12：从沙子到芯片 课时13：工艺概述 课时14：光刻 课时15：刻蚀 课时16：扩散 课时17：离子注入 课时18：化学气相沉积CVD 课时19：物理气相沉积PVD 课时20：氧化 课时21：电路-版图-掩膜-光刻之间的关系及内涵 课时22：版图设计与检查 课时23：版图设计规则与图元 课时24：CMOS模拟集成电路绪论 课时25：为什么要学习CMOS模拟集成电路 课时26：共源极放大器 课时27：二极管负载的共源极放大 课时28：电流源负载共源极放大器 课时29：带源极负反馈的共源极放大器 课时30：源极跟随器 课时31：共栅极放大器 课时32：共源共栅极放大器 课时33：反相器作为放大器 课时34：共源极放大器的PSRR 课时35：差分放大器的优势 课时36：差分放大器的差动大信号特性 课时37：差分放大器的共模响应 课时38：全差分放大器的共模输出电平 课时39：交叉互连负载的差分放大器 课时40：密勒效应和密勒补偿 课时41：放大器的频率特性 课时42：反馈系统的频率特性 课时43：基本MOS电流镜 课时44：共源共栅MOS电流镜 课时45：WilsonMOS电流镜 课时46：WildarMOS电流源 课时47：数字信号特点及设计关注 课时48：数字系统的构成与工作原理 课时49：数字系统的评价指标 课时50：CMOS反相器——结构原理及基本特性 课时51：CMOS反相器——静态特性 课时52：CMOS反相器——瞬态特性 课时53：数字集成电路设计——反相器的设计 课时54：数字集成电路设计——低功耗设计 课时55：静态CMOS组合逻辑电路——结构 课时56：静态CMOS组合逻辑电路——特性 课时57：静态CMOS组合逻辑电路——逻辑努力 课时58：静态CMOS组合逻辑电路——功耗 课时59：动态CMOS组合逻辑电路——有比逻辑 课时60：静态组合逻辑电路——传输管（门）逻辑 课时61：动态组合逻辑电路——预充电-求值逻辑 课时62：动态组合逻辑电路——多米诺CMOS电路 课时63：动态组合逻辑电路——特性及信号完整性 课时64：时序逻辑电路——概述 课时65：时序逻辑电路——双稳态静态结构 课时66：时序逻辑电路——双稳态动态结构 课时67：时序逻辑电路——无竞争动态结构 课时68：时序逻辑电路——无稳态施密特触发器 课时69：导线及互连——概述 课时70：导线及互连——互连电阻 课时71：导线及互连——互连电容 课时72：导线及互连——互连延时模型 课时73：导线及互连——互连延时优化 课程介绍共计73课时，15小时25分19秒 集成电路设计基础（华中科技大学） 了解当今集成电路设计的基本方法与技术；掌握MOS器件的基本结构、模型与特性，掌握基本的组合逻辑电路和时序逻辑电路的原理；了解微电子集成电路工艺基本流程；认识集成电路的基本版图；掌握CMOS模拟集成电路基本理论、定性及定量分析方法、设计技术。熟练掌握数字集成电路基础理论、基本结构、评价方法。最终具备开展集成电路设计的基础知识和基本方法。掌握集成电路的基本概念、基本规律与基本分析方法，培养适合于工程学科的思维方式，提升逻辑思维能力。 上传者：Lemontree 猜你喜欢 移植STM32固件库中的例程到STM3210E-LK学习板 直播回放: TI 业界超精确3D霍尔效应位置传感器 Digi-Key 与 DFRobot: Boson Kit 环境传感器 + 星际工厂 Atmel_ 利用加密认证技术保护您的固件 Atmel软件框架(ASF)入门(下) 极端低功耗16位单片机-PIC24FGA3系列 TI SensorTag创意设计视频集 可调谐RF趋势 热门下载 浅谈检测／校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机＋CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 micropython支持的开发板列表 B_L475E_IOT01ACERB40ESPRUINO_PICOHYDRABUSLIMIFROGNETDUINO_PLUS_2NUCLEO_F401RENUCLEO_F411RENUCLEO_F429ZINUCLEO_F446RENUCLEO_F767ZINUCLEO_L476RGOLIMEX_E407PYBLITEV10PYBV10PYBV11 陈韶华 安规Y1 & Y2电容 安规Y1&Y2电容的生产制造一般应采用IEC标准。Y电容抑制共模干扰，电气产品的安全，电磁干扰等标准日趋严格，电器产品必需装置交流安规电容器,一般是成对出现的。对于Y2类抑制电源电磁干扰用电容器应适用于在电容器失效时不会导致电击危险的场合，用于电源跨线路连接时，能承受5kV的脉冲电压冲击，不致发生击穿现象。一般情况下,工作在亚热带的产品，要求对地漏电电流不能超过0.7mA；工作在温带的产品，要求对地漏电电流不能超过0.35mA。因此，Y电容的总容量一般都 qwqwqw2088 如何测量到MSP430芯片内部自带时钟的频率，能否把它输出到一个IO管脚上？ 如何测量到MSP430芯片内部自带时钟的频率，能否把它输出到一个IO管脚上？查手册例如至少有的芯片可以将SMCLK输出到管脚，设置相应的端口功能寄存器即可谢谢。原帖由wangfuchong于2012-5-1910:21发表查手册例如至少有的芯片可以将SMCLK输出到管脚，设置相应的端口功能寄存器即可 这两个在例程里都有msp430g2xx3_dco_flashcal.c-DCOCalibrationConstantsProgrammer可以输 dsp_comm 2009年全国试题征集大全 本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:32编辑与大家共享下，网上收集来的，一共12个WORD！2009年全国试题征集大全本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:32编辑这也能弄到！:L顶！！！！本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:32编辑好东西我喜欢楼主强大强大啊本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:33编辑好东西我喜欢楼主强大强大啊 clr110110 内核层创建了一个Event，应用层CreateEvent时提示拒绝访问，不知道是什么原因 内核层创建了一个Event，应用层CreateEvent时提示拒绝访问，不知道是什么原因内核层创建了一个Event，应用层CreateEvent时提示拒绝访问，不知道是什么原因安全属性的问题。简单的解决方法是由应用程序创建事件，驱动程序来访问。应用层用OpenEvent只要是内核层先创建了Event对象，应用层使用OpenEvent和CreateEvent都提示“拒绝访问”由于应用层无法使用CreateFile访问内核层（MSVAD的simple例子），所以没办法实现从应用层向内核层传 cdqd 《嵌入式软件的时间分析》读书活动：1 第一章读书笔记-基础知识 第一章讲解的是基础知识，这部分知识是每个嵌入式软件工程师都应该了解，子章节如下：1.1实时系统1.2阶段性的软件开发模型V-Model1.3编译过程：从模型到可执行文件-1.3.1基于模型的软件开发和代码生成-1.3.2C预编译器-1.3.3C编译器-1.3.4编译器执行的代码优化-1.3.5汇编器-1.3.6链接器-1.3.7定位器-1.3.8链接脚本-1.3.9调试器1.4总结1.实时系统很简短的 hehung 网友正在看 功率因数的提高 第一章 第1讲 数字图像处理概述 CCNP路由29_BGP_Cost_Community 机器学习定义和典型应用 INTRODUCTION TO DYNAMIC PROGRAMMING- WIS in Path Graphs - A Linear Time Algorithm QPSK和OQPSK MSP430 LaunchPad 入门 5 图灵 API 的调用和解析
