我们用的MSP430时,内部有几十个字节informationmemory可以当EEPROM来用,无需再外扩EEPROM芯片,用量保存一下系数的掉电保存的数据.这样做很方便的。下面看一下这个代码的相关说明，方便广大朋友们移植还用。.特别说明:1.说明我用的是IAR编译器,在IAR上一定能通过2.利用informationmemory作为EEPROM掉电保存数据,这是这段程序第一个亮点;3.写informationmemory必须在

向来以联发科为首的大陆手机芯片市场，进入同业相互厮杀的白热化阶段，联发科与展讯市占之争恐在第4季出现大幅改变，近期业界传出展讯第4季在台积电取得足够晶圆代工产能后，投片量大增60%，相较之下，联发科则降低在台积电投片量，集中于联电，近2个季度投片量呈现持平至下滑近10%情况。对于晶圆厂台积电与封测厂日月光、硅品而言，由于联发科仍为数一数二的大客户，即使展讯订单大举攀升，亦难喜形于色，只能保持低调。　　第3季营运呈现疲软的联发科，第4季表现令业界关注，近期业界传出联发科第4季在台积电投片量有

以前确实抽不出时间搞这个。现在按照计划开始试用了。由于测试条件不理想，图片嘛，这里就不贴了。今天只测试了LMZ10501的部分特性，且是在输出1.8V下的。以后还要继续作其它测试。一、空载电流测试条件：输入5V，输出1.8V,负载空载，测试结果：5.8mA二、波纹测试，输入电压2.4V~5.5V空载时，基本看不到有纹波。负载电阻18欧时，示波器拨到0.01V档，可以看到波纹，约为一格的三分之一。三、输入电压

请想请问各位大侠几个问题，请帮忙解惑1不同的公司及厂家的同一档次的ARM（如：都是32bit)会有什么不同吗？架构一样吗？就像89c51的MCU和microchip公司的PIC系列MCU的硬件架构就不一样，不同的公司的同一档次的ARM也是这样吗？2不同的公司的ARM所开发的嵌入式产品，它的应用程序是否可以在一个系统下完成（如wince,EVC等）呢？3学习ARM应如何入手?关于ARM的几点疑惑帮顶下这个跟ARM公司的商业操作有关系ARM公司主要是出售ARM的知识产权，

下面的程序编译通过，但在执行的过程中，得不到设想的结果，烦各位老师帮我看下，给点意见！谢谢！IMR.set0004hIFR.set0006hWDCR.set7029hSCSR1.set7018hMCRA.set7090hPBDATDIR.set709ahWD_KEY.set7025hWSGR.set0FFFFHKICK_DOG.macroLDP#0E0HSPLK#5555H,WD_KEYSPLK

原理：使用MOS管模拟开关，用一个外加的方波来激励，方波频率比较高，比模拟信号快100倍左右，简单方法是在输入端两个串联的MOS管的栅极并联加一个反相器，将输入方波倒相以使得两个MOS管在方波的反相电平处接通；当MOS1开通时，输入信号对电容C1充电，即留住电荷Q1=C1V1，在周期的另一半，C1对gnd放电，将电荷转移到C2(反馈支路上的电容)，C2的端电压改变量为△V=△Q/C2=C1V1/C2；在高频方波的每一个周期，输出电压的变化量与输入电压V1成正比(变化量很小近似为线