本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： 双极型晶体管（三十六）继续观看 课时1：半导体器件原理 绪论（一） 课时2：半导体器件原理 绪论（二） 课时3：半导体器件原理 绪论（三） 课时4：pn结的频率特性与开关特性（一） 课时5：pn结的频率特性与开关特性（二） 课时6：pn结的频率特性与开关特性（三） 课时7：pn结的频率特性与开关特性（四） 课时8：pn结的频率特性与开关特性（五） 课时9：双极型晶体管（一） 课时10：双极型晶体管（二） 课时11：双极型晶体管（三） 课时12：双极型晶体管（四） 课时13：双极型晶体管（五） 课时14：双极型晶体管（六） 课时15：双极型晶体管（七） 课时16：双极型晶体管（八） 课时17：双极型晶体管（九） 课时18：双极型晶体管（十） 课时19：双极型晶体管（十一） 课时20：双极型晶体管（十二） 课时21：双极型晶体管（十三） 课时22：双极型晶体管（十四） 课时23：双极型晶体管（十五） 课时24：双极型晶体管（十六） 课时25：双极型晶体管（十七） 课时26：双极型晶体管（十八） 课时27：双极型晶体管（十九） 课时28：双极型晶体管（二十） 课时29：双极型晶体管（二十一） 课时30：双极型晶体管（二十二） 课时31：双极型晶体管（二十三） 课时32：双极型晶体管（二十四） 课时33：双极型晶体管（二十五） 课时34：双极型晶体管（二十六） 课时35：双极型晶体管（二十七） 课时36：双极型晶体管（二十八） 课时37：双极型晶体管（二十九） 课时38：双极型晶体管（三十） 课时39：双极型晶体管（三十一） 课时40：双极型晶体管（三十二） 课时41：双极型晶体管（三十三） 课时42：双极型晶体管（三十四） 课时43：双极型晶体管（三十五） 课时44：双极型晶体管（三十六） 课时45：双极型晶体管（三十七） 课时46：双极型晶体管（三十八） 课时47：双极型晶体管（三十九） 课时48：双极型晶体管（四十） 课时49：MOSFET的基本特性（一） 课时50：MOSFET的基本特性（二） 课时51：MOSFET的基本特性（三） 课时52：MOSFET的基本特性（四） 课时53：MOSFET的基本特性（五） 课时54：MOSFET的基本特性（六） 课时55：MOSFET的基本特性（七） 课时56：MOSFET的基本特性（八） 课时57：MOSFET的基本特性（九） 课时58：MOSFET的基本特性（十） 课时59：MOSFET的基本特性（十一） 课时60：MOSFET的基本特性（十二） 课时61：MOSFET的基本特性（十三） 课时62：MOSFET的基本特性（十四） 课时63：MOSFET的基本特性（十五） 课时64：MOSFET的基本特性（十六） 课时65：MOSFET的基本特性（十七） 课时66：MOSFET的基本特性（十八） 课时67：MOSFET的基本特性（十九） 课时68：MOSFET的基本特性（二十） 课时69：MOSFET的基本特性（二十一） 课时70：MOSFET的基本特性（二十二） 课时71：MOSFET的基本特性（二十三） 课时72：MOSFET的基本特性（二十四） 课时73：MOSFET的基本特性（二十五） 课时74：MOSFET的基本特性（二十六） 课时75：MOSFET的基本特性（二十七） 课时76：小尺寸MOSFET的特性（一） 课时77：小尺寸MOSFET的特性（二） 课时78：小尺寸MOSFET的特性（三） 课时79：小尺寸MOSFET的特性（四） 课时80：小尺寸MOSFET的特性（五） 课时81：小尺寸MOSFET的特性（六） 课时82：小尺寸MOSFET的特性（七） 课时83：小尺寸MOSFET的特性（八） 课时84：小尺寸MOSFET的特性（九） 课时85：小尺寸MOSFET的特性（十） 课程介绍共计85课时，1天8小时4分16秒 半导体器件原理 复旦大学 蒋玉龙 半导体器件是微电子学的基础课程，在对半导体物理的基本原理有一定了解后，了解和掌握半导体器件的基本理论和物理模型对于微电子学及相关专业人员是非常必要的。本系列课程由复旦大学蒋玉龙老师为我们讲解，蒋玉龙老师系统的介绍了集成电路中的半导体器件的工作原理，着重讲解了半导体器件的物理概念及物理模型，以及基本的公式推导和计算。蒋玉龙老师的讲解诙谐幽默，生动形象，深入浅出，对学习本课程大有裨益。 上传者：老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 自适应滤波器算法与实际应用 历届电子竞赛真题讲解赛前培训 Atmel Studio 6 IDE – 用于ARM和AVR的共同ASF工作流程 满足工业应用中的低静态电流需求的宽输入 DC/DC 转换器 手把手教你学ARM-STM32 MATLAB智能算法30个案例分析 机器学习深入研究 TI PLC开发套件介绍 热门下载 PCM1702,PDF(BiCMOS Advanced Sign Magnitude 20-Bit D/A Converter ) C8051F MCU之系列仿真器介绍 线束连接器加工基础知识培训 在有名的开源elphel 333 系列网络摄像机基础上 第十五章.开发XFire.Web.Service应用.pdf TM4C系列 基于ARM Cortex-M4 内核的MCU 轻型高压直流输电系统的MATLAB仿真 工业过程高级控制 331页 6.6M 英特尔82801HM IO控制器开发套件 单片机用于电子密码锁设计单片机用于电子密码锁设计 热门帖子 理解铅酸电池的充电特性 铅酸电池（VRLA），是一种电极主要由铅及其氧化物制成，电解液是硫酸溶液的蓄电池。铅酸电池放电状态下，正极主要成分为二氧化铅，负极主要成分为铅；充电状态下，正负极的主要成分均为硫酸铅。一个单格铅酸电池的标称电压是2.0V，能放电到1.5V，能充电到2.4V；在应用中，经常用6个单格铅酸电池串联起来组成标称是12V的铅酸电池，还有24V、36V、48V等。铅酸电池的充电原理铅蓄电池内的阳极（PbO2）及阴极（Pb）浸到电解液（稀硫酸）中，两极间会产生2V的电力，这是根据铅 qwqwqw2088 三级管工作状态—谈如何学习、提高维修技能 关于三极管的三种状态，在《电子报》上曾经有多篇文章详细论述过，但总侧重于理论分析。下面笔者从维修的角度出发，突出实用，谈谈三极管三种状态的特点、判断方法，并附带介绍一种学习电子电器应用与维修的方法，希望对初学者有所启发和帮助。一、三种状态的特点和判断方法(以NPN型硅管为例，可参阅附图)1.截止状态:当b-e结反偏、零偏、浅正偏(指虽然正偏，但正向压降小于门槛电压)时Ib=0,Ic=Ice≈0，三极管截止，此时Rce内阻为无穷大，Vce约 Aguilera 为什么有些放大器带容性负载时振荡？ 运算放大器的输出阻抗和容性负载的电容可能形成一个阻容振荡。输出阻抗和容性负载在输出级形成一个R-C振荡，从而在反馈信号中就引起了附加的相位滞后。CMOS放大器有一个较高的输出阻抗这将会导致电极接近或低于该运算放大器的单位增益频率。电极的附加相位滞后会削弱运算放大器的相位裕度，放大器的总相位滞后引起单位增益频率的相角增加超过180度，在振荡器里这个结果会导致在单位增益中总的反馈相移超过180度。CMOS放大器的输出阻抗在100和500之间，引起的极点频率相对较低。同理，高速双极性运算 fish001 充电指示电路 请教各位大神，有没有什么办法能实现充电LED灯闪烁的，关机状态下（MCU不工作），只有充电器给的5V电压给到主板，给到充电芯片，目前的充电芯片只支持指示灯常亮，充满后熄灭（插入充电器后拉低，灯亮，充满后拉高，灯灭），请问有没有什么辅助电路或者芯片能实现让其闪烁的？闪烁频率为1hz，谢谢！充电指示电路只是想要闪烁的话，简单，直接用一只闪烁型LED即可。闪烁型LED是集成了闪烁控制电路的一体化器件，闪烁频率由内电路控制，也有用电压控制的。 学习了。充电宝的闪烁也是这样的吗 一般 elec32156 物联网手持终端 全球手持终端前十强此内容由EEWORLD论坛网友许伟1原创，如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处物联网手持终端物联网卡了解一下？ 许伟1 microbit手表 新做了一个电池扩展板，可以将microbit变为手表、手环、计步器、蓝牙控制器，适合小朋友学习。microbit手表时间怎么显示？micro:bit是软，硬件都开源吗？littleshrimp发表于2017-12-2907:40时间怎么显示？ 可以编程滚动显示，也可以用超小字体2x5，显示时和分。 是的，硬件是BBC团队设计的，软件有微软的PXT、python社区的micropython，当然也可以用C++哈哈哈，好大个:lol:lol:lo dcexpert 网友正在看 多谐振荡电路PLUS版，电路解析最终章，搞定 Ubuntu文件系统结构 累加器实验 电阻并联 正点原子官方系统镜像烧写实验-Windows下OTG烧写 双极型晶体管（三） 按需调页 卷积&初终值特性
