IBM11M2645HB-70,IBM11M2645HB-70 pdf中文资料,IBM11M2645HB-70引脚图,IBM11M2645HB-70电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与IBM11M2645HB-70相近的元器件有：IBM11M2645L-60J、IBM11M2645HB-60T、IBM11M2645H-60、IBM11M2645H-60T、IBM11M2645H-70、IBM11M2645H-70T、IBM11M2645HB-70T、IBM11M2645HB-60、IBM11M2645L-70J。描述及对比如下：

型号	IBM11M2645HB-70	IBM11M2645L-60J	IBM11M2645HB-60T	IBM11M2645H-60	IBM11M2645H-60T	IBM11M2645H-70	IBM11M2645H-70T	IBM11M2645HB-70T	IBM11M2645HB-60	IBM11M2645L-70J
描述	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, PDMA168	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, PDMA168	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	70 ns	60 ns	60 ns	60 ns	60 ns	70 ns	70 ns	70 ns	60 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-PDMA-N168	R-XDMA-N168	R-PDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-PDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64	64	64	64	64
端子数量	168	168	168	168	168	168	168	168	168	168
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64	2MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	5 V	3.3 V	5 V	5 V	5 V	5 V	3.3 V	3.3 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	1024	2048	2048	2048	2048	2048	2048	2048	1024
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.64 mA	0.664 mA	0.72 mA	0.72 mA	0.72 mA	0.64 mA	0.64 mA	0.64 mA	0.72 mA	0.564 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	5 V	3.3 V	5 V	5 V	5 V	5 V	3.3 V	3.3 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	IBM	-	IBM	IBM	IBM	IBM	IBM	IBM	IBM	IBM
零件包装代码	-	DIMM	DIMM	-	DIMM	-	DIMM	DIMM	-	DIMM
针数	-	168	168	-	168	-	168	168	-	168
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	-	EAR99	-	EAR99	EAR99	-	EAR99
访问模式	-	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	-	FAST PAGE WITH EDO	-	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	-	FAST PAGE WITH EDO
其他特性	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度	-	32	32	-	32	-	32	32	-	32
功能数量	-	1	1	-	1	-	1	1	-	1
端口数量	-	1	1	-	1	-	1	1	-	1
工作模式	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS
最大供电电压 (Vsup)	-	5.5 V	3.6 V	-	5.5 V	-	5.5 V	3.6 V	-	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	-	4.5 V	3 V	-	4.5 V	-	4.5 V	3 V	-	4.5 V

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“华为告赢三星侵权案”的象征意义大过实际

在中国手机市场，以往依靠价格战所带来的快速增长态势正在消失；手机企业必须通过持续加大研发投入、推出更多黑科技产品来争夺市场。泉州中院受理的华为公司维权案一审宣判——三星（中国）投资有限公司等三被告构成对华为终端有限公司的专利侵权，需共同赔偿8000万元。这是华为公司在全国系列维权案中第一个宣判的案件。华为打赢了与三星的专利战首仗，当然，它不是第一家获得专利战诉讼胜利的国产手机企业。去年5月，...[详细]
可穿戴设备热潮：这6大行业需做好准备

尽管你还在嘲笑Google Glass不实用、还有点丑；或者很傲娇地觉得，自己永远不会用一块电子感强烈的智能手表代替手腕上的那只百达翡丽，但你不得不承认“可穿戴设备的大军”正在扩大，时尚界、科技界、娱乐界等也都在陆续试水这个领域。　　普华永道(PwC)最近发布的一份长达50页的研究报告把可穿戴设备誉为“the next big thing”。这份名为《可穿戴设备的未来：可穿戴设备将...[详细]
英国2030年前近900万工作岗位或被机器人取代

英国《每日邮报》从英国就业与养老金部获得的数据显示，截至2030年，英国8820545个就业岗位将由以自动化技术为基础的机器人取代。随着人工智能的普及，自动化将使多个领域使用机器人的成本低于雇用人类员工。数据显示，受冲击最大的将是零售业从业者，其次是制造业和企业行政管理及其支持服务的从业者；创意产业从业者所受威胁最小。研究还显示，随着计算机技术和自动化技术的普及，英国人就业岗位受威胁最严重...[详细]
滴滴投身智能家居，租车的日子不好过

智能家居行业目前正处于发展市场的关键时期，不久的将来将会走进寻常百姓家。各大巨头扎堆进入智能家居行业，通过密集并购入股的方式加速企业的布局。滴滴战略转型偏向智能家居行业发展也不是不可能。而且滴滴除了打车业务之外，旅游、附近商圈、团购、社交、甚至是在线支付模式都是滴滴新的发展方向。实际上，滴滴有意偏向智能家居行业的发展是有迹可循的。想要打造一套完整的智能家居系统，最核心的技术就是ZigBee技...[详细]
数据引擎技术的原理及其在DCS中的应用

一、引言在这里我们将介绍有关数据引擎技术的基本原理，揭示该技术在转变传统DCS控制站性能方面的作用。通过剖析数据引擎技术在DCS控制站中的应用，说明控制组态的技术标准应如何建立，控制组态逻辑的在线编辑（编译）功能将如何实现。数据引擎技术已经在一部分发电厂中得到应用，并都获得相当可喜的成功。 2000年，PineControl分布式控制系统研究小组发现有可能利用数据库...[详细]
丰田终极环保车遇技术难题

据日本J-Cast网站报道，日本《东洋经济》刊登载文章，分析了丰田计划2015年量产的终极环保车--燃料电池车(FCV)目前所面临的问题，氢气生产以及氢气站的建设将成为丰田FCV上市后面临的首要技术难题。　　之前有媒体报道，丰田计划2015年量产的燃料电池车(FCV)连续行驶公里数将比充电汽车(EV)多500公里以上，充氢气的时间只需3分钟，被称作“终极环保车”。　　...[详细]
ST携手Stollmann提供完整NFC解决方案

　　中国，2009年8月3日 ——安全IC的全球领导厂商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）与世界知名的通信协议软件提供商Stollmann共同宣布合作协议，将共同为市场领先的手机厂商和移动消费电子厂商提供软硬件完备的NFC接口解决方案。　　近距离通信（NFC）是一个快速增长的无线连接技术，可用于包括手机在内的各种消费电子产品，实现安全快速的近距数据无线传输服务，如购物支付和交通票...[详细]
3D视觉AIOT芯片研发商，埃瓦科技完成了数千万元Pre-A轮融资

据36氪报道，近日，3D视觉AIOT芯片研发商埃瓦科技完成数千万元Pre-A轮融资。本轮融资由鼎青投资领投，中国半导体行业协会副理事长、国微集团董事长黄学良先生跟投，资金主要用于3D视觉AI技术系列产品研发和市场推广。据36氪报道，鼎青投资公司投资总监康宇表示，视觉是5G时代的大市场应用，其中端侧的AI和3D图像芯片是视觉应用的重要领域，埃瓦团队具有丰富的低功耗ASIC研发经验，...[详细]
苹果watchOS 8.4发布：修复无法充电Bug

苹果今日向 Apple Watch 推送了 watchOS 8.4 正式版，是 watchOS 8 系统的第三次重大更新。本次更新修复了此前的充电 Bug，同时添加了对 Apple Music Voice Plan（Apple Music 声控方案）的支持。　　本次更新支持 Apple Watch Series 3 及以上的手表，根据更新日志，watchOS 8.4 修复了一个错误，...[详细]
四个重要因素决定DRAM八大厂商排名

据IHS iSuppli公司的最新研究，根据过去、现在及未来的表现，三星电子不但在DRAM市场占有最大份额，而且竞争力最强。这项新的分析考虑了四个因素：DRAM厂商的现金余额，销售现金比率，总体市场份额和产品组合实力。综合考虑这些因素，韩国三星名列第一。研究发现，三星的现金债务比在业内最高，而且该公司拥有最强大的产品组合，以及最高的市场份额。因此，IHS认为三星在DRAM市场...[详细]
基于PXA255的嵌入式Linux应用平台的构建

1 引言嵌入式Linux(Embedded Linux)是指对Linux经过小型化裁剪后，能够固化在容量仅有几十万字节的存储器芯片或单片机中，应用于特定嵌入式场合的专用Linux操作系统。嵌入式Linux是由很多体积小且性能高的微内核系统组成，在内核代码完全开放的前提下，不同领域和不同层次的用户可以根据自己的应用需要很容易地对内核进行改造，在低成本的前提下，设计和开发出真正满足自己需要的嵌入...[详细]
肾癌机器人带来微创手术肾脏低温新技术

亨利福特医院的泌尿学家声称，发明一种名为“穿刺冰水体内注入与回收(Dubbed ICE for Intracorporeal Cooling and Extraction)”的肾癌机器人微创手术肾脏低温新技术。运用新型的穿刺器与注射器，可以延长术中的操作时限，使得机器人微创肾脏部分切除术更为普遍地运用于治疗肾癌患者。这项技术的应用可以保留患者更多的肾脏组织、缩短住院天数，并获得更好的预后。...[详细]
蔚来召回4803辆ES8，电池包自燃有多危险？

电池包易自燃？蔚来召回4803辆ES8 涉及近三分之一首批交付车辆蔚来承诺会对所有因电池质量安全事故造成的用户财产损失依法赔付蔚来汽车近半年来发生数次自燃事故。6月27日，经国家主管部门调查后，蔚来汽车决定召回4803辆搭载了2018年4月2日到2018年10月19日期间生产的动力电池包的蔚来ES8电动汽车。蔚来汽车召回部分ES8 约占交付车辆三分之一 6月27日，国家市场监督...[详细]
从原理到实例：GaN为何可期待？

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。在功率半导体的发展路径中，功率半导体从结构、制程、技术、工艺、集成化、材料等各方面进行了全面提升，其演进的主要方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面，从硅Si材料逐渐向氮化镓（GaN）等宽禁带材料升级，使得功率器件体积...[详细]
根治易燃易爆炸难题！国内首条全固态锂电池量产线正式投产

10月24日消息，据“北京亦庄”官方发布，近日，国内首条全固态锂电池量产线正式投产。据悉，这是由北京经济技术开发区（北京亦庄）企业北京纯锂新能源科技公司（以下简称“纯锂新能源”）投资建设的产线，标志着该企业研发生产的纯锂50安时数全固态电池迈向量产新阶段。固态锂电池有何创新突破？实现固态锂电池的量产又对新能源行业发展有何意义？纯锂新能源副总经理周林路说：“应对储能安全挑战...[详细]