三星3nm GAA客户曝光，2nm 2025如期量产

日前，加拿大研究机构TechInsights再度拆解国内MicroBT挖矿专用ASIC，由三星晶圆代工（Samsung Foudry）以3纳米GAA制程所生产之Whatsminer M565++芯片，但此款芯片仅有逻辑单元，没有存储器单元，也就是三星拿来练兵的GAA简化版产品。

三星号称3纳米GAA弯道超车台积电量产，至今已超过1年，但迟未见大客户投片，甚至连自家手机也未采用，现在三星3纳米GAA真实展现，有三大值得关注之处。

首先，是三星3纳米GAA距离正规量产仍是漫漫长路；二是简化版谈不上良率；三是只有矿机客户，未有大厂买单，千亿美元投资黑洞难回收。

据TechInsights拆解报告指出，三星与国内矿机业者MicroBT合作，Whatsminer M56S++是三星在2022年6月底宣布3纳米GAA制程领先量产后，首次曝光的商业化产品。

为何三星未在其他芯片采用GAA制程技术？应考虑到GAA是先进且复杂的制程，良率也较低，因此选择先在挖矿芯片导入。由于这此芯片不需要记忆单元，简化了生产过程，也提高了生产良率。

三星于2022年中表示，首代3纳米GAA制程技术会在2022年下半商业化生产，且获多家客户青睐。2023年3月则释出3纳米GAA制程良率稳定，已开始研发第二代制程，将全力实现2024年量产目标。

此外，三星亦以2纳米制程基本架构进行晶圆测试，并取得良好成果，同时晶圆代工事业部亦成功研发高密度存储器整合技术，为因应日后生成式AI需求打好基础。

随着MicroBT矿机ASIC曝光后，终于可揭开三星3纳米GAA制程神秘面纱。此芯片于5月Bitcoin2023会议中正式亮相，也就是三星3纳米GAA量产1年后，所采用的却是简化版制程，显见大规模量产之路仍相当漫长。

半导体设备业者表示， 三星3纳米GAA实力曝光后，台积电可以暂松口气。事实上，进入7纳米以下制程时代后，转单成本与风险高昂，因此难有客户变心。值得一提的是，先前与三星合作的Google、Tesla，接下来也转向台积电。

除高通（Qualcomm）双边押注，其他有技术、产品及银弹能力的芯片厂，都是台积电客户。最后是恶性循环，三星难以扩大先进制程量产规模，千亿美元投资黑洞难以回收，持续烧钱压力加剧。

设备业者也透露，苹果（Apple）不会回头下单，三星想要争抢AI、HPC客户填补产能、支撑庞大投资，但几乎所有客户都在台积手上，且合作已至2纳米时代。

设备业者语重心长指出：「暂不论制程技术与服务优势，有钱下单的芯片厂都倒向台积电，先进制程胜负已分。」

台积电表示，2纳米技术采用纳米片晶体管架构，在良率与元件效能上皆展现良好的进展，将如期于2025年量产。据了解，表定2025年量产的2纳米，牌价逼近2.5万美元天价，仍吸引芯片大厂开始洽谈投片。