三星内部调查DRAM“吃回扣”丑闻,供应短缺预计将持续至2027年
2025-12-19 来源:IT之家
12 月 19 日消息,据 DigiTimes 昨日报道,全球存储器市场正经历严峻的缺货与价格上涨周期,供应链分析指出本轮供需失衡将持续至 2027 年。
据供应链反馈,当前存储器报价持续攀升,交货周期显著延长,供应商库存水平远低于正常阈值。成本压力已传导至终端消费市场,包括宏碁、戴尔、华硕等厂商计划上调产品价格以应对成本压力,此举可能抑制市场消费需求。
此次缺货主要受 AI 需求爆发影响,三星电子、SK 海力士及美光等主要供应商将产能集中转向 HBM 及企业级解决方案,导致通用型 DRAM 内存和 NAND 闪存供应受限。与此同时,疫情后厂商扩产态度保守,加上 DDR4 加速退场,进一步加剧了市场紧张态势。
在此背景下,三星电子近日已启动内部调查。据供应链人士称,三星总部派遣调查人员赴中国台湾,对半导体相关部门展开核查,调查涉及员工与代理商在存储器销售中涉嫌收受回扣的行为,相关调查范围可能延伸至新加坡等地区。在完成多轮约谈后,三星已对营销及业务部门启动首轮人事调整。
DigiTimes 表示,此次事件反映出当前存储器市场供不应求导致的异常利润空间,促使部分人员涉险违规。
三星电子发言人对此回应表示,相关内部调查属于例行运营流程的一部分,进一步细节则不便评论。据称,相关调查仍在持续进行中,公司对调查内容严格保密。IT之家后续将保持关注。
相关文章
- 三星代工迎来大逆转!接连拿下NVIDIA、Tesla、AMD大单:Q4有望扭亏
- 三星电子:HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程
- 曝三星计划在美国得州泰勒建立第二座芯片厂,规模与第一工厂相当
- 三星回应内存短缺:预计2028年结束
- 内存价格疯涨倒逼厂商停产性价比机型
- 英伟达罕见入局内存研发:联手三星共同推进铁电NAND商业化
- 三星电子:2nm 良率爬坡好于预期,泰勒晶圆厂预计年底完成首批流片
- 消息称特斯拉计划就大幅提升AI6芯片产能规模与三星电子磋商
- 消息称三星电子 FOPLP 先进封装研发转而聚焦 415mm × 510mm 基板
- 是德科技与三星携手NVIDIA展示端到端AI-RAN验证工作流程




