STM32F103标准库开发---SPI实验---W25Qxx系列外部Flash芯片

一、W25Qxx系列芯片----简介

W25Qxx 系列 Flash 存储器可以为用户提供存储解决方案。擦写周期多达10W次，可将数据保存达20年之久，支持2.7~3.6V的电压，支持标准的SPI，还支持双输出/四输出的SPI，最大SPI时钟可达80Mhz。

W25Qxx 系列 Flash 存储器是为系统提供一个最小空间、最少引脚，最低功耗的串行Flash存储器，比普通的串行Flash存储器更灵活，性能更优越。

功耗低，正常工作状态下电流消耗0.5mA，掉电状态下电流消耗1uA。

1. 存储结构

W25Qxx 系列 Flash 存储器的存储结构

相同点：

1块 = 16扇区 = 64k字节，1扇区 = 16页 = 4k字节，1页 = 256字节。

只有三种擦除方式：扇区擦除 、 块擦除 和 全片擦除。

写操作一次可以写1~256字节，最多一次写一页256字节。

不同点： 容量和内存空间地址不同，具体如下表所示：

2. 引脚接口

下面只介绍标准SPI接口，接口如下图所示：

片选引脚：/CS

（1）当CS引脚为高电平时，芯片被禁能，DO引脚高阻态，不能进行读写操作。

（2）当CS引脚为低电平时，芯片被使能，能进行读写操作。

   上电后，执行一条新指令之前必须使CS引脚先有一个下降沿。

数据输出引脚：DO（IO1）

标准SPI模式： CLK上升沿捕获地址和命令，下降沿输出数据。

QSPI模式： 双向数据传输 IO1。

写保护引脚：/WP（IO2）

标准SPI模式：

写保护引脚可以被用来保护状态寄存器不被意外改写。

（1）当WP引脚为高电平时，芯片写保护失能，可以正常写入数据。

（2）当WP引脚为低电平时，芯片写保护使能，不可以正常写入数据。

QSPI模式： 双向数据传输 IO2。

地：GND

电源地

数据输入引脚：DI（IO0）

标准SPI模式：

数据、地址和命令从DI引脚送到芯片内部，在CLK引脚的上升沿捕获。

QSPI模式： 双向数据传输 IO0。

串行时钟引脚：CLK

SPI时钟引脚，为输入输出提供时序。

保持引脚：/HOLD（IO3）

标准SPI模式：

当CS引脚为低电平时

（1）当HOLD为低电平时，DO引脚处于高阻态状态，而且也会忽略DIO和CLK引脚上的信号。

（2）当HOLD为高电平时，芯片恢复正常工作。

QSPI模式： 双向数据传输 IO3。

电源：VCC

电源正极

3. 原理图

4. 内部结构框架图

5. 型号ID

W25Qxx 系列 Flash 存储器支持 JEDEC 标准，具有唯一的 64 位识别序列号，方便区别芯片型号，具体如下表所示：

二、W25Qxx系列芯片----工作原理

1. SPI 运行方式

W25Qxx系列芯片支持以下两种SPI通信方式:

模式0： CPOL = 0，CPHA = 0

模式3： CPOL = 1，CPHA = 1

2. W25Qxx系列芯片----状态寄存器

注：这里是记录所有W25Qxx系列芯片的状态寄存器，有些型号的状态寄存器，没有全部功能。

状态寄存器1

S0----总线忙标志位（BUSY）

在执行页编程、扇区擦除、块区擦除、芯片擦除以及写状态寄存器指令时，该位被硬件自动置1。这时候，除了读状态寄存器指令外的所有操作指令都会被芯片忽略。

当芯片执行完这些指令后，硬件会自动将该位清0，表示芯片器件可以接收其他的指令。

S1----写保护位（WEL）

执行完写使能指令后，该位置1

当芯片掉电后和执行写禁能、页编程、扇区擦除、块区擦除以及芯片擦除指令都会进入写保护状态，该位置0

S2、S3、S4----块区保护位（BP2、BP1、BP0）

这3个位默认状态为0，即块区处于未保护状态。可以利用“写状态寄存器”指令对这几个位进行置1来达到块区保护的目的。块区保护状态为：没有保护、部分保护和全部保护状态。

当状态寄存器的SRP位为1或读写保护管脚（/WP）为低电平时，这3个位不可被更改。

S5----底部和顶部块保护位（TB）

此位默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。

当TB = 0时，表示保护位从顶部开始；

当TB = 1时，表示保护位从底部开始。

当状态寄存器的SRP位为1或读写保护管脚（/WP）为低电平时，这个位不可被更改。

S6----扇区/块保护（SEC）

此位默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。

当SEC = 0时，表示每次保护的区域大小为4K；

当SEC = 1时，表示每次保护的区域大小为64K。

状态寄存器2

S7、S8----状态寄存器保护位（SRP、SRL）

这两个位的默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。

这两位和读写保护管脚（/WP）决定了状态寄存器写保护的方式。

状态寄存器写保护的方式有：软件保护，硬件保护、电源锁定或一次性可编程（OTP）保护。

S9----快速SPI通讯使能（QE）

此位默认值为0，可以利用“写状态寄存器”指令对这个位进行置1或清零。

当QE = 0时，设置为标准速度模式或快速模式，保持管脚（/HOLE）和读写保护管脚（/WP）启用；

当QE = 1时，设置为高速模式，保持管脚（/HOLE）和读写保护管脚（/WP）被设置为IO2和IO3功能使用。

S10、S11、S12、S13----安全寄存器锁位（LB3、LB2、LB1）

LB3-1的默认状态为0，安全寄存器被解锁。

可以使用写状态寄存器指令将LB3-1单独设置为1。

LB3-1是一次性可编程(OTP)，一旦它设置为1，相应的256字节安全寄存器将成为永久只读。

S14----补码保护位（CMP）

它与SEC、TB、BP2、BP1和BP0位结合使用，为阵列保护提供更大的灵活性。

一旦CMP设置为1，之前SEC、TB、BP2、BP1和BP0设置的阵列保护将被逆转。例如：

当CMP=0时，一个最高64KB的块可以被保护，而数组的其他部分则不受保护;

当CMP=1时，最上面的64KB块将成为不受保护的，而数组的其余部分将成为只读的。

默认设置为CMP=0。

S15----暂停状态位（SUS）

在执行**擦除/程序暂停(75h)指令后设置为1。

通过擦除/程序恢复 (7Ah)**指令以及下电、上电周期将SUS状态位清除为0。

状态寄存器3

S16----当前地址模式（ADS）

表示设备当前运行的地址模式。

当ADS=0时，设备处于3字节地址模式，

当ADS=1时，设备处于4字节地址模式。

S17----启动时地址模式（ADP）

决定设备上电或复位时的初始地址模式，该位仅在上电或设备复位初始化期间使用。

当ADP=0(出厂默认)时，设备将启动到3字节地址模式，扩展地址寄存器必须用于访问超过128Mb的内存区域。当ADP=1时，设备将直接启动到4字节地址模式。

S18----写保护方案（WPS）

当WPS=0时，设备将使用CMP、SEC、TB、BP[2:0]位的组合来保护存储阵列的特定区域。

当WPS=1时，设备将使用单独块锁来保护任何单独的扇区或块。

设备上电或复位后，所有单个块锁定位的缺省值为1。

S22、S21 ---- 输出信号强度（DRV1、DRV0）

S23----HOLD/RST引脚功能选择

当HOLD/RST=0(出厂设置)时，引脚为/HOLD。

当HOLD/RST=1时，引脚为/RESET。

但是，只有当QE=0时，/HOLD或/RESET函数才可用。

QE设置为1时，关闭/HOLD和/RESET功能，引脚为专用数据I/O引脚。

3. W25Qxx系列芯片----常用操作命令

（1）单字节操作

单字节操作，只往芯片中写入1字节的操作命令，具体代码如下：

void W25QXX_Write_Enable(void) //写使能 

{

W25QXX_CS(0); //拉低片选CS引脚---使能芯片

W25QXX_ReadWriteByte(0x06);  //写入1字节操作命令

W25QXX_CS(1); //拉高片选CS引脚---关闭芯片

}

操作命令 如下表所示：

注：如果想要实现其他功能，替换操作指令数据，便可实现功能。

（2）双字节操作

双字节操作，先往芯片中写入1字节的操作命令，接下来是读取/写入的字节数据。

具体代码如下：

//读取1字节数据

uint8_t W25QXX_ReadSR(void)//读取状态寄存器

{

uint8_t  data=0;

W25QXX_CS(0);            //拉低片选CS引脚---使能芯片

W25QXX_ReadWriteByte(0x05);  //写入1字节操作命令

data=W25QXX_ReadWriteByte(0Xff); //读取1字节数据

W25QXX_CS(1);                    //拉高片选CS引脚---取消片选

return data;

}

//写入1字节数据

void W25QXX_WriteSR(uint8_t data)//写状态寄存器

{

W25QXX_CS(0);            //拉低片选CS引脚---使能芯片

W25QXX_ReadWriteByte(0x01); //写入1字节操作命令

W25QXX_ReadWriteByte(data); //写入1字节数据

W25QXX_CS(1);               //拉高片选CS引脚---取消片选

}

操作命令 如下表所示：

注：如果想要实现其他功能，替换操作指令数据，便可实现功能。

（3）读取ID操作

具体代码如下：

uint16_t W25QXX_ReadID(void)//读取芯片ID

{

uint16_t ID = 0;   

W25QXX_CS(0); //拉低片选CS引脚---使能芯片    

W25QXX_ReadWriteByte(0x90); //发送读取ID命令     

W25QXX_ReadWriteByte(0x00);     

W25QXX_ReadWriteByte(0x00);     

W25QXX_ReadWriteByte(0x00);    

ID|=W25QXX_ReadWriteByte(0xFF)<<8;  

ID|=W25QXX_ReadWriteByte(0xFF);  

W25QXX_CS(1); //拉高片选CS引脚---取消片选   

return ID;

}

操作命令 如下表所示：

注：如果想要实现其他功能，替换操作指令数据，便可实现功能。

（4）带地址操作

带地址操作主要分两种：

3字节地址：W25Qxx系列芯片都可以使用。

4字节地址：只有W25Q256和W25Q512可用。

3字节地址

具体代码如下：

//读取数据

void W25QXX_Read(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint16_t NumByteToRead)   

{     

W25QXX_CS(0);                         //拉低片选CS引脚---使能芯片

    W25QXX_ReadWriteByte(0x03);    //发送读取命令  

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>16));   //发送24bit地址    

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>8));   

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)ReadAddr);   

    for(uint16_t i=0;i { 

       pBuffer[i]=W25QXX_ReadWriteByte(0XFF);    //循环读数  

    }

W25QXX_CS(1);           

}  

//写入数据

void W25QXX_Write_Page(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite)

{

    W25QXX_Write_Enable();                  //写使能

W25QXX_CS(0);                            //使能器件   

    W25QXX_ReadWriteByte(0x02);   //发送页写命令   

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>16)); //发送24bit地址    

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>8));   

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)WriteAddr);   

    for(uint16_t i=0;i {

W25QXX_ReadWriteByte(pBuffer[i]);//循环写数  

}

W25QXX_CS(1);                            //取消片选 

W25QXX_Wait_Busy();     //等待写入结束

} 

操作命令 如下表所示：

4字节地址

具体代码如下：

//启用4字节地址模式

void W25QXX_Enter_4Byte()

{

W25QXX_CS(0); //拉低片选CS引脚---使能芯片

W25QXX_ReadWriteByte(0xB7);  //写入1字节操作命令

W25QXX_CS(1); //拉高片选CS引脚---关闭芯片

}

//退出4字节地址模式

void W25QXX_Exit_4Byte()

{

W25QXX_CS(0); //拉低片选CS引脚---使能芯片

W25QXX_ReadWriteByte(0xE9);  //写入1字节操作命令

W25QXX_CS(1); //拉高片选CS引脚---关闭芯片

}

//读取数据

void W25QXX_Read(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint16_t NumByteToRead)   

{     

W25QXX_CS(0);                         //拉低片选CS引脚---使能芯片

    W25QXX_ReadWriteByte(0x13);    //发送4字节地址读取命令  

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>24));//发送32bit地址 

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>16));     

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr)>>8));   

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)ReadAddr);   

    for(uint16_t i=0;i { 

       pBuffer[i]=W25QXX_ReadWriteByte(0XFF);    //循环读数  

    }

W25QXX_CS(1);           

}  

//写入数据

void W25QXX_Write_Page(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite)

{

    W25QXX_Write_Enable();                  //写使能

W25QXX_CS(0);                            //使能器件   

    W25QXX_ReadWriteByte(0x12);    //发送4字节地址页写命令   

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>24));//发送32bit地址 

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>16));    

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr)>>8));   

    W25QXX_ReadWriteByte((uint8_t)WriteAddr);   

    for(uint16_t i=0;i {

W25QXX_ReadWriteByte(pBuffer[i]);//循环写数  

}

W25QXX_CS(1);                            //取消片选 

W25QXX_Wait_Busy();     //等待写入结束

} 

注：如果想要实现4字节地址，需要启用4字节地址模式。

操作命令 如下表所示：