2SK2925-Z-E1-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管
###产品简介**型号**:2SK2925-Z-E1-VB**封装**:TO252**配置**:单N沟道**技术**:沟槽型(Trench)2SK2925-Z-E1-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用沟槽型技术设计,具有优良的导通特性和高可靠性,适用于各种电子设备和电路设计。###详细参数说明-**VDS**(漏-源电压):60V-**VGS**(栅-源电压):20V-**Vth**(栅极阈值电压):1.7V-**RDS(O