消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产
2026-03-30 来源：IT之家
3 月 30 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 29 日报道称，三星电子位于中国西安的 NAND 晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了 236 层堆叠的第八代 V-NAND (V8 NAND) 的量产。
西安晶圆厂是三星在韩国本土外重要的半导体生产基地。本次制程升级始于 2024 年，旨在改造原有的 V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足 AI 时代对高性能存储设备的需求。
在量产 V8 NAND 后，三星西安晶圆厂的下一步瞄准了 286 层堆叠的 V9 NAND，相关生产线将位于 X2 工厂，计划在 2026 年内完成过渡并实现量产。
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