SiC碳化硅MOSFET栅氧可靠性-碳化硅功率器件可靠性最短板-长期工作可靠性薄弱点考核
碳化硅MOSFET栅氧可靠性-碳化硅功率器件可靠性最短板-长期工作可靠性薄弱点考核为了让SiCMOSFET和Si器件一样可靠,在处理时必须大限度降低栅极氧化层缺陷密度。此外,必须开发创新的筛查技术例如通过电气终端测试,以识别并剔除可能有缺陷的器件。在终测中筛选有缺陷的器件,通常需要对每个器件施加预定幅值和时间的高栅极电压应力脉冲。该应力脉冲可用于识别出具有关键外部缺陷的器件,留下没有外部缺陷的、或只存在非关键外部缺陷的器件。在筛查中留下来的剩余器件具有明显更高的栅极氧化层可靠性