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RQ5P010SNTL

N沟道增强型MOS管, RSR010N10系列, Vds=100 V, 1 A, SOT-346封装, 表面贴装

产品类别:分立半导体    晶体管   

制造商:ROHM(罗姆半导体)

官网地址:https://www.rohm.com/

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RQ5P010SNTL规格参数
参数名称
属性值
类别
分立半导体;晶体管
厂商名称
ROHM(罗姆半导体)
包装
卷带(TR)剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
520 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.5 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TSMT3
封装/外壳
SC-96
基本产品编号
RQ5P010
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