2SK2885-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管
###一、产品简介2SK2885-VB是一款单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,具备出色的导通特性和高可靠性。该器件封装在TO252封装中,具备30V的漏源电压(VDS),20V的栅源电压(VGS),以及70A的最大漏极电流(ID)。在不同栅源电压下,其导通电阻(RDS(ON))分别为9m@VGS=4.5V和7m@VGS=10V,适用于要求高电流和低导通损耗的应用场合。###二、详细参数说明-**型号:**2SK2885-VB-