本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： 逻辑门电容充电功耗模型继续观看 课时1：集成电路技术的意义 课时2：开关和逻辑 课时3：静态互补CMOS逻辑原理 课时4：静态互补CMOS逻辑门的设计和本节小结 课时5：集成电路工艺 课时6：集成电路版图 课时7：Scaling Down 课时8：MOS管原理 课时9：阈值电压 课时10：MOS管的基本电流方程 课时11：沟道长度调制效应 课时12：速度饱和 课时13：MOS管的手工分析模型 课时14：MOS管的电容 课时15：体效应 课时16：短沟效应、DIBL和本节小结 课时17：亚阈值电流 课时18：栅氧漏电流 课时19：扩散区pn结漏电流 课时20：栅极感应漏端漏电与本节小结 课时21：MOS管的温度特性 课时22：电压传输特性 课时23：VTC分析方法 课时24：开关阈值电压与本节小结 课时25：单级噪声容限 课时26：电压传输特性的稳定性 课时27：多级噪声容限及本节小结 课时28：复杂逻辑门的静态特性 课时29：用于延时分析的反相器模型 课时30：反相器的驱动电阻 课时31：反相器的负载电容 课时32：门延时的组成 课时33：反相器延时的设计准则 课时34：复杂逻辑门的驱动电阻 课时35：大扇入逻辑门的尺寸设计 课时36：考虑内部节点电容的延时模型 课时37：复杂逻辑门延时与输入图形的关系 课时38：逻辑门延时模型 课时39：本征延时 课时40：努力延时 课时41：关键路径 课时42：固定级数时的逻辑路径的尺寸优化 课时43：级数可变时逻辑路径的尺寸优化 课时44：逻辑路径尺寸优化方法小结 课时45：电路级优化 课时46：逻辑结构优化 课时47：本章总结 课时48：集成电路的功耗问题 课时49：逻辑门电容充电功耗模型 课时50：开关活动性 课时51：虚假翻转 课时52：直流通路引起的功耗和本节小结 课时53：CMOS逻辑门的静态功耗分量 课时54：亚阈值漏电流功耗 课时55：堆叠效应 课时56：本节小结 课时57：功耗优化指标 课时58：电源电压优化 课时59：VDD-尺寸的联合优化 课时60：VDD-VT联合优化 课时61：集成电路中的导线 课时62：互连线的寄生电容 课时63：互连线的寄生电阻 课时64：电感的影响和寄生效应小结 课时65：集总电容模型 课时66：分布rc模型 课时67：考虑互连线延时的电路延时 课时68：互连线延时的优化 课时69：电容串扰及其影响 课时70：克服电容串扰的方法 课时71：IR Drop 课时72：L（didt） 课时73：互连线的信号完整性小结 课时74：互连线的Scaling Down 课时75：组合逻辑 课时76：静态互补CMOS逻辑的特点 课时77：伪NMOS逻辑门的静态特性 课时78：伪NMOS逻辑门的传播延时 课时79：伪NMOS逻辑门的功耗与特点 课时80：差分串联电压开关逻辑 课时81：传输管逻辑的工作原理 课时82：传输管逻辑的延时和功耗 课时83：电平恢复技术 课时84：低阈值传输管 课时85：CMOS传输门 课时86：传输管逻辑信号的完整性问题 课时87：动态逻辑 课时88：动态逻辑基本原理 课时89：串联动态门 课时90：动态逻辑的速度 课时91：动态逻辑的功耗 课时92：电荷泄漏 课时93：电荷共享 课时94：电容耦合 课时95：组合逻辑类型的选择 课时96：时序逻辑和时序单元 课时97：双稳态原理 课时98：锁存器 课时99：主从边沿触发寄存器 课时100：时序参数的定义 课时101：时序参数对同步系统的影响 课时102：动态时序单元 课时103：本章总结 课时104：同步时序 课时105：时钟系统 课时106：时钟偏差 课时107：时钟抖动 课时108：时钟偏差和抖动的来源 课时109：减小时钟偏差和抖动的技术 课时110：时钟树 课时111：时钟技术小结 课时112：数据通路的特点 课时113：数字电路中的加法运算 课时114：静态互补CMOS全加器 课时115：静态互补CMOS全加器 课时116：传输管逻辑全加器 课时117：动态逻辑全加器 课时118：进位选择加法器 课时119：超前进位加法器 课时120：树形加法器 课时121：数字电路中的乘法运算 课时122：部分积产生 课时123：部分积累加 课时124：乘法器小结 课时125：本章小结 课程介绍共计125课时，1天5小时40分56秒 数字超大规模集成电路设计 清华大学 李翔宇 《数字大规模集成电路》是讲授数字大规模集成电路基础理论和知识的微电子专业研究生基础课，既是微电子专业学生的核心课程也是供电类专业学生学习数字集成电路设计的基础课程。课程以纳米和深亚微米CMOS工艺条件、系统级集成水平下的数字电路原理和设计技术为主要内容，具体包括器件和互连线的特性与模型、数字VLSI的关键指标与优化方法，常见逻辑类型、基本功能单元、重要片内子系统（时钟、电源网络）的工作原理和设计方法等。通过这门课的学习你可以理解如何用MOS管实现复杂的数字芯片、真正的数字集成电路和理想的数字电路之间有哪些差别、芯片的速度、功耗、鲁棒性、成本等方面的特性与哪些因素有关、又如何优化。 上传者：Lemontree 猜你喜欢 TI 手持吸尘器系统方案与设计 意法半导体Teseo定位系统 直播回放: 艾迈斯欧司朗智慧农业与植物照明 Altera SoC Demo现场演示 操作系统(RISC-V) 直播回放: ADI - 惯性 MEMS 应用那些事 模拟电子技术 单片机原理及应用 哈工大 热门下载 浅谈检测／校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机＋CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 请教：如何利用串口接收数据驱动触摸屏和keypad的事件发生！ pb5.0下 请教：利用串口接收数据，串口驱动层判断后区分触发触摸屏和keypad的事件发生！pb5.0下请教：如何利用串口接收数据驱动触摸屏和keypad的事件发生！pb5.0下使用SendMessage,keypad也可以使用keyeventyashi谢谢你啊！我先试一下！通过串口接收协议数据，解协议，然后根据协议信息使用keyevent或者mouseevent函数来发送控制命令谢谢你们了！不过我再实践时发现keypad可以用keyevent方式，但是触摸屏好像不可以，我想问一下有关触摸屏驱 laopo163 pxa310 和tvp5147 开发linux下的摄像驱动 有人有pxa310和tvp5147开发linux下的摄像驱动的经验的吗？pxa310和tvp5147开发linux下的摄像驱动 sanzhongren 低功率纳米技术及其它敏感器件的交流与直流测量方法的比较——直流反转监测法2 使用三个电压测量进行数学计算就可能去除热电动势电压偏置项(VEMF)和热电动势电压变化项(δV)。首先，求出前两次电压测量差的一半，并称其为VA：VA=(VM1–VM2)/2=/2=VDUT–δ/2同样地，求出第二次(VM2)和第三次(VM3)电压测量差的一半，并将此项称为VB：VB=(VM2–VM3)/2=/2=VDUT+δV/2这些结果都可以抵消偏置量 Jack_ma L298N的第1和15脚的具体用法和意义 最近看了L298N的数据手册，关于第1和15脚，上面说接一个检测电阻，可以用来作为过压的输出信号，从而起到保护芯片的作用。那位大虾知道的，说一下L298N的第1和15脚的具体用法和意义 L298N指的是STMicroelectronics公司的步进马达驱动芯片，1脚和15脚分别是SENSEA和SENSEB？ 从片内电路图可看出，SENSEA和SENSEB分别对地接一电阻，下拉的驱动电流将通过这个电阻。当电流过大时电阻上的压降也变大，下拉驱动管的射极电位将被抬高，使下拉驱动管趋于截止 SHIFPGA 请大家浅谈一下各系列单片机的特点及适用范围 MCS-51系列单片机,PIC系列单片机，MSP430系列单片机，MC68HC11系列单片机，AT89系列单片机，各种ARM芯片的特点和适用范围，请大家浅谈一下请大家浅谈一下各系列单片机的特点及适用范围我觉得具体看的是:应用,封装,参数,可靠性,价格,开发成本,周围器件成本综合考虑...不同的项目,不同的应用,不好拿一个统一的对比出来 白开水 《深度学习的数学——使用Python语言》3. 统计学基础 这本书最大的亮点并不是简单地讲解数学知识，而是将数学知识与深度学习紧密结合。按照概率论->线性代数->微积分的顺序，每一部分内容都融入了深度学习的实际应用，让我们更清楚这些数学知识在深度学习中的作用和具体用法。在构建深度学习模型之前，我们必须充分理解并构建数据集。优质的数据集是训练出优质模型的前提。基础统计学知识可以帮助我们更好地理解和分析数据，从而提升数据集的质量，为模型打下扎实的基础。#数据类型数据类型可以分为四种，每种类型的特点各不相同，但它们之间又存在一定联系。在处理 waterman 网友正在看 DS18B20温度传感器实验--实验现象 Technology Mapping Basics 拉普拉斯变换（一） 第十章 第1讲 图像的合成（王元全主讲） 传感器与测试技术的发展趋势 无感FOC冰箱 回溯搜索的前向检查及约束传播 Orcad软件中Title Block中的原理图页数如何进行增加呢？
