本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Conduction Part 2继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 如何自动对电机进行调优 Virtex-5 功耗估计与测量演示 Input filter effect on a power supply 研讨会 : Littelfuse 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我用MPLABV7.52連接ICD2時，報錯，錯誤代碼是ConnectingtoMPLABICD2...ConnectedICD0133:Firmwaredoesnotsupportcommand(0x7).ICD0082:FailedMPLABICD2operationMPLABICD2Ready請問該怎麼弄，上一次用還是好好的呀？MPLABICD2無法工作，請教重新配置一下ICD2它会自动再下一个适合的Firmware好像是你的连接 xwj1111 vs2003下的picturebox问题？ 在开发wince4.2程序时，用vs2003的picturebox控件时怎么没有clicked事件啊？各位大虾知道是什么原因啊？vs2003下的picturebox问题？给大家推荐个好的技术群 大家一起学习啊32759197没有人知道吗？自己写事件是可以的... jhpotter 2、WLAN 中的WAPI 非法用户在能够接收到无线信号的任何地方都可以发起对公共无线局域网的攻击，无须授权即可使用网络服务，这不仅会占用宝贵的无线信道资源，增加带宽费用，降低合法用户的服务质量，并且别有用心的人还可以利用这一漏洞进入到局域网内部窃取机密。根据国际互联网安全中心的统计数据，2003年针对无线局域网的攻击已经占全球互联网络攻击事件总数的23%。并且在2004年上半年，随着无线局域网的进一步普及，有可能达到2003年全年的无线局域网攻击事件的总和。这对于正在高速发展的中国计算机网络来说，的确是个重 malu 51单片机中push的问题 正在学单片机书中讲的是：push后面的操作数只能是直接寻址方式如：push30HpushACC还说：pushA不对,也就是操作数不能是寄存器寻址可书中的例子中却多次出现:pushA请问是不是书上印错了51单片机中push的问题A/Acc就是一个地址还说：pushA不对,也就是操作数不能是寄存器寻址这个和你的汇编器有交,好像KEIL里只认ACC其它的汇编器另当别论 xue948 哪位兄弟有远峰开发板的CE5.0的BSP哦 基于SamArmDvk9Ⅱ开发板，哪位朋友有WinCE5.0的BSP哦？？哪位兄弟有远峰开发板的CE5.0的BSP哦可能没人有吧！就是有，可能也没人给你。靠自己吧！远峰开发板带的是4.2的吧5.0有也没人会给你，还是4.2将就点用~~~~那哪位TX有5.0滴经验哦，指点一哈 quuuuok 网友正在看 T-BOX 无线系统 继电器仿真 ST Sensortile 随机信号的时域描述（三） 8 读写NFC标签中的Uri数据 仪用运算放大电路仿真 BIST1 LFSRpolynomial Robot Control and Compliance
