本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 适用于每个 FET 的 TI 栅极驱动器 MSP430开发平台介绍 cadence allegro 快速入门实战100讲 针对照明解决方案的PIC12F(HV)752/PIC16F(HV)753产品概览 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SD卡读写必须要用FAT文件系统吗SD卡读写必须要用FAT文件系统吗也可以用其他文件系统读写跟文件系统是两回事，没有文件系统也照样读写啊，文件管理系统是管理你存储的数据的，FAT，它从有磁盘开始诞生，发展到现在，技术成熟、用得最多。使用FAT存储文件具有“通用”性。而对于具体载体的读写，与文件系统是两个概念不一定要用。你也可以直接把数据写到SD卡上，不过没有FAT文件系统的话，SD卡插上电脑，电脑会提示SD卡已损坏，是否需要格式化。用专门的软件还是能读到这种情况下SD卡上数据的 boer 也说无源滤波电路 无源滤波器缺点:带负载能力差,无放大作用,特性不理想边沿不陡峭,各级互相影响。RC滤波1,C值的选取:C不能选的太小，否则负载电容对滤波电路的影响很大，一般IC的输入电容往往有l~lOpF的输入电容。C值选的太大，则会影响滤波电路的高频特性，因为大电容的高频特性一般都不好。2,R值的选取:R值过小会加大电源的负载，R值过大则会消耗较多的能量。RC滤波电路的最大缺陷就是他不仅消耗我们希望抑制的信号能量，而目也消耗我们希望保留的信 qwqwqw2088 Open1081——WiFi原理总结 Wi-Fi全称WirelessFidelity，又称802.11b标准，它是一种短程无线传输技术，能够在数百英尺范围内支持互联网接入的无线电信号。可以将个人电脑、手持设备（如PDA、手机）等终端以无线方式互相连接。随着技术的发展，以及IEEE802.11a及IEEE802.11g标准的出现，现在IEEE802.11这个标准已被统称作Wi-Fi。802.11规范了无线局域网络的介质存取控制(MediumAccessControl；MAC)层及实体(Physical；P yinyue01 【TI首届低功耗设计大赛】PCB触摸板补充 本帖最后由lonerzf于2014-11-520:30编辑 之前忘记了触摸板部分的实验，今天补上。我的扩展板上共有4个PCB触摸按键，分别标记为1234.具体实验过程如下：如果每个按键的按下时间保持100ms以上（高电平），那么当它释放的时候（低电平）就输出一个标志位，标识本按键被按下。因为定时器B0用于温湿度传感器的采样捕获，这里就用定时器A0处理延时和按键检测。PCB扩展板如下：按键结果如下：相关源码已上传。视频链接如下：就先到这里吧。 lonerzf 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