本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag继续观看 课时1:About_This_Course 课时2:Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3:CMOS_Processes 课时4:Semiconductors__Part_1 课时5:Semiconductors__Part_2 课时6:Semiconductors__Part_3 课时7:Conduction Part 1 课时8:Conduction Part 2 课时9:Contact_Potentials 课时10:pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22:Introduction 课时23:Complete_AllRegion_Model 课时24:Simplified_AllRegion_Models 课时25:Strong_Inversion_Models_–_1 课时26:Strong_Inversion_Models_–_2 课时27:Strong_Inversion_Models 课时28:Weak_Inversion_Models 课时29:Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30:Effective_Mobility 课时31:Additional_Topics 课时32:SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33:SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34:SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35:SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36:SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37:SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38:SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39:SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40:SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41:SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42:SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59:SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60:SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63:SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64:SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65:SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66:SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67:SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68:SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69:Noise__Introduction 课时70:Noise__Thermal_Noise 课时71:Noise__HighFrequency_Considerations 课时72:Noise__Flicker_Noise 课时73:Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74:Halo_Implants 课时75:Well_Proximity_Effect 课时76:Stress_Effects 课时77:Statistical_Variability 课时78:Epilogue 课程介绍共计78课时,15小时8分11秒 MOS晶体管 (哥伦比亚大学,英文字幕) 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作,以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者,而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者:桂花蒸 猜你喜欢 自动控制理论 清华大学 直播回放: OnSemi 超低功耗 RSL10 蓝牙 SoC 开发板详解 英特尔FPGA 2019工程师应用视频 Imagination公司的PowerVR SDK工具系列教程 智能控制 [高精度实验室] ADC 输入驱动电路 模拟电子技术基础国防科大杜湘瑜 高频电子线路 热门下载 [资料]-JIS B4313-2002 High-speed steel two-flute twist drills-Technical specifications.pdf [资料]-JIS B3512-2007 可编程序控制器.现场网络标准的试验和检定(1级)(修改件1).pdf [资料]-JIS B6203-1998 升降台式卧铣床 准确度的测试1.pdf [资料]-JIS F8521-2012.pdf [资料]-JIS F8522-2012.pdf [资料]-JIS D4311-1995 汽车用离合器衬片.pdf [-]-jis a1204-2009 土壤粒度分布的试验方法.pdf [资料]-JIS S2006-1994 Vacuum bottles.pdf [资料]-JIS D3636-2003 道路车辆.柴油机燃料喷射泵试验.枢轴型校准喷嘴.pdf [资料]-JIS C8152-1-2012 照明用白色発光ダイオード(LED)の測光方法-第1部:LEDパ.pdf 热门帖子 笔记本HP500键盘无响应? 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