本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Source_Reference_vs._Body_Reference继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 嵌入式软件设计 AI人工智能深度学习(RV1126)-第2期 提高篇 手把手教你学51单片机 如何应对开关电源设计中的挑战 BQ769x0 系列设计参考 2015 TI 音频创新日 (7) 高保真度 (HIFI) 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USB整个对我来说是一个复杂而费时的东东。主要是要什么功能就描述什么设备。比如，USB键盘，USB虚拟串口，USB设像头。。。。。。而和泰把USB库也加了进来，把USB作为一个标准库。我看了下USB的例程例子还很多：而这里边同我关系最大的也就是虚拟串口。我于是怀着好奇的心情把例程下了进开发板。复位，只见我的电脑右下角显示无法安装驱动程序。再打开设备管理器，没有什么虚拟串口，只有一个在USB那里一个黄色的叹号。点开它，看到有驱动更新，于是我就想到在装和泰的例程时我在根目 ddllxxrr 询问：关于FPGA开发板申请 最近要上手FPGA，有没有坛友申请过XLINX或者ALTERA大学计划的板子？申请过的请告知申请具体的步骤！~如果有人闲置FPGA的开发板也可以贴上来，价格合理就收几块（同学要要上手）。询问：关于FPGA开发板申请哈哈那个早就注意到了，但是那个是并口下载的，我现在用笔记本没有并口，所以感觉不是很方便，要不早就下手论坛的EE_FPGA了！~回复沙发soso的帖子买个USB口的不就行了，淘宝上便宜的FPGA板子也就300多块。大学计划还是很难弄的， wanghongyang 米尔-T133测评-开箱简单测试 最近网上冲浪的时候发现电子工程师世界论坛在做全志T133的测评活动，正好我之前使用过全志的SOC对全志的芯片还是挺感兴趣的，就报名试试了，没想到居然抽到了内心还是十分激动了，今天板子快递已经到了就开箱测评试试。开箱芯片性能还是不错的，双核心a7，加128Mddr3内封，让人看着就流口水。开机接上DEBUG串口试试。可以看到内核打印被屏蔽了应该是为了快速启动才怎么做的把。米尔-T133测评-开箱简单测试这芯片好，直接可以焊 yvwei 【12个步骤建立激光安全系统】--EEWORLD大学堂 12个步骤建立激光安全系统：http://training.eeworld.com.cn/course/1977 第一步：建立电路； 第二步：拆卸相机； 第三步：焊线端子； 第四步：组装相机； 第五步：在肥皂盒内置电路； 第六步：电路与电池连接； 第七步：附加电压继电器连线； 第八步：切割衣架； 第九步：放置相机； 第十步：放置激光指挥棒 第十一步：放置镜子； 第十二步：测试系统。【12个步骤建立激光 chenyy 网友正在看 核方法与非线性SVM WALL 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