本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Strong_Inversion_Models_–_2继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 嵌入式Qt5 C++开发 嵌入式Linux防火墙产品设计 应用的RF4CE协议的射频遥控器系统 研讨会：TI新一代C2000™ 微控制器，集成强大的通信能力和控制性能实现更灵活的系统级设计 SpaceX实现人类史上首次海上回收火箭 感谢工程师——关于短信发送 90后中国小伙黑科技：成本1元的触控纸 Arduino创意设计集：硬件设计头脑风暴 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 Debug时能看出当前运行了几步吗? 之前使用Keil电脑模拟时可以看到现在走了几步、花了多少时间想请问CCS上也有类似的功能吗?还是说一定得用定时器?Debug时能看出当前运行了几步吗? CCS当然有，你用的那个版本CCS3.3版本下在Profile-clock菜单下，有Enable，view，setup等选项，选中Enble后在右下角有一个钟表样子的标志。CCS5.0以上版本（4.0版本没有用过，应该差不多）在调试模式下Run-Clock菜单下，功能选项会多一些，你应该能看懂的，选中Enble后好像也是在右下角 huybn5776 内置段式LCD控制器的单片机，哪个最便宜？ 最近要弄个段式LCD显示，不过成本要求越低越好，不知道哪个单片机（内置LCD控制器）便宜些？8位，16位，32位都行。目前主要是AD采集+显示，应该不会有大的改动。拜求各位大侠，3Q。内置段式LCD控制器的单片机，哪个最便宜？台系的那些廉价MCU，不到1块钱，带AD的就贵些了。不过，没量就别考虑台系的。msp430？台系最便宜，亿龙，松翰都有，但建议上st或ti之类大厂的，不然够你折腾的chenzhufly发表于2015-2-407:42msp430？他用不着 hmy0569 我的大二，开始了 不知不觉，已经开学2周了，也就是半个月，原本在暑假定好的计划，一开学就变得不太现实。接待新生，上任部长，社团招新，还有选修课综合工程能力训练，完全把计划打乱，而又一直不在状态，计划落下一大堆，想想现在已经大二，大一的师兄，再也不能跟以前一样，什么也不管，想做就放心一起去尝试，该给自己一个更充分的安排。遂以拙手，敲以下文字，与大家共勉。现在是2014.09.18，在十月份前将滤波器的基本知识了解，知道如何选为自己设计的电路选电感。同时，利用周末，与课余时间，为协会的招新和 xcs101 NXP LPC1768宝马开发板 第十六红外接收 第十六章宝马1768——红外接收开发环境：集成开发环境μVision4IDE版本4.60.0.0主机系统：MicrosoftWindowsXP开发平台：旺宝NXPLPC1768开发板16.1EEPROM16.2硬件描述16.3 旺宝电子 ZigBee协调器网络的建立 ZigBee协调器网络的建立一、协调器网络的建立1、网络的格式化A：初始化的能量阀值为16。通过设置ZDApp_event_loop任务中的事件ID为ZDO_NETWORK_INIT以便执行B。B：调用NLME_NetworkFormationRequest函数进行申请，对申请的回应在程序中没对应的回调处理，猜想回调处理在lib库中处理。在程序找到了两个对申请结果作处理的函数，voidZDO_NetworkFormationConfirmCB(ZS wateras1 AVR CP，CPC，比较指令是如何影响SREG标志位的了 各位大侠：新手求助，AVRCP，CPC，比较指令是如何影响SREG标志位的了。只知道算术运算，逻辑运算，还不知道比较运算是怎么算的了？？？？AVRCP，CPC，比较指令是如何影响SREG标志位的了自己顶一下，能否介绍的详细，通俗些了。。。。现在用汇编的人比较少了。 hongbin70 网友正在看 时间同步（一） 机器人动力学建模（牛顿-欧拉法） ARM指令种类 Multilevel Logic—Observability Don’t Cares Capture软件原理图DRC检查工具介绍 步进马达控制 步进马达控制方法（上） 1 烟雾报警器概述 ARM Mali SeeMore Demo【GDC13】
