本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 电源设计小贴士13：小心别被电感磁芯损耗烫伤 深入理解计算机系统CMU 全新树莓派4：它是否能替代你的pc 信息安全概论（密码学） HVI 系列: 用GaN设计可靠的高密度功率解决方案 书写机器演示 SpaceX实现人类史上首次海上回收火箭 Microchip F1评估平台 热门下载 [资料]-JIS B4313-2002 High-speed steel two-flute twist drills-Technical specifications.pdf [资料]-JIS B3512-2007 可编程序控制器.现场网络标准的试验和检定(1级)(修改件1).pdf [资料]-JIS B6203-1998 升降台式卧铣床 准确度的测试1.pdf [资料]-JIS F8521-2012.pdf [资料]-JIS F8522-2012.pdf [资料]-JIS D4311-1995 汽车用离合器衬片.pdf [-]-jis a1204-2009 土壤粒度分布的试验方法.pdf [资料]-JIS S2006-1994 Vacuum bottles.pdf [资料]-JIS D3636-2003 道路车辆.柴油机燃料喷射泵试验.枢轴型校准喷嘴.pdf [资料]-JIS C8152-1-2012 照明用白色発光ダイオード（ＬＥＤ）の測光方法－第１部：ＬＥＤパ.pdf 热门帖子 机器人六轴力传感器市场调查报告 机器人六轴力传感器产品定义机器人六轴力传感器，是一种测量X、Y、Z三个方向上的力和力矩的传感器。机器人六轴力传感器目前主要搭载在机械臂上，通过检测力在空间作用的全部信息，即在空间坐标系所形成的三个分力和三个力矩Fx、Fy、Fz、Mx、My、Mz，从而对机械臂的受力进行精密测量与控制，当前，机器人六轴力传感器市场正处于快速增长阶段，主要受益于机器人技术的广泛应用和智能化需求的提高。本报告的统计范围是运用在精密打磨、精密装配、协作机器人、人形机器人等领域的机器人用机器人六轴力传感器。 QY报告 转让全新的ARM开发板 因工作繁忙，本人现转让一全新的ARM7开发板：EasyARM2131开发平台地点：上海市闵行区电话：13681848395清单如下：1.EasyARM2131开发实验板1台2.EasyJTAG-H1只3.SDCARDPACK1块4.杜邦-1P测试线9条5.20P仿真电缆1条6.RS232串行通讯线1条7.并口延长线1条8.USB通讯电缆1条9.产品光盘1张10.产品保修卡1张11.《深入浅出ARM7--LPC213X/21 zj168 [下载]世界500强选人标准及工作规范 世界500强工作规范（电子书）以及世界500强选人标准（电子书）分享给大家，希望对大家有所帮助。世界500强选人标准及工作规范优秀的标准普及真难Re:世界500强选人标准及工作规范楼主很优秀Re:世界500强选人标准及工作规范非常感谢啦！Re:世界500强选人标准及工作规范楼主很优秀非常感谢啦！Re:世界500强选人标准及工作规范500强,看看Re:世界500强选人标准及工作规范搂主很厉害！谢谢！Re:世界500强选人标准及工作规范不容易啊，谢谢！ SuperStar515 探讨固定及移动WiMAX系统对无线射频子系统的设计要求 随着服务供应商和基础架构设备制造商近来公布多项先进无线服务及设备合同签订的消息，WiMAX正大受市场注目。不过，要成功推出一项服务，需要三个必备要求：(1)服务供应商的投资；(2)基础架构设备的开发；(3)价廉的客户驻地设备(customerpremiseequipment)和/或移动设备。本文将探讨能够满足固定和移动WiMAX要求的较低成本设备的设计，重点放在无线射频(RF)子系统的实现上。尽管有些人可能会把WiFi和WiMAX加以比较，因为二者都是基于 yidishui 请教，如何对协议的性能进行测试？ 例如像如下协议：TCPSSLFTP还有无线通信协议。谢谢，请各位大侠帮忙。请教，如何对协议的性能进行测试？没有人知道应该怎么测吗？nobody?好像标准就规定了相关的细节...协议的性能测试,还真的刚刚听说 kgduerlu 过年了大散分 见者有分过年了大散分贫道专为JF而来!!SF过年了，大接分。强哥好，新年快乐。好哇.什么时候来个倒计时....新年快乐。过年了，大接分。新年快乐。倒计时倒计时倒计时！！JF,3ks!JF,3ks!见者有分春节快乐其实接分是我的强项.专为JF而来!!SF喜欢楼主的率直jf快乐快乐新年快乐happynewyear新年快乐jf新年快乐那边散，我这边得接呀。。。呵呵！~谢谢你啊！请问还有吗？新年快乐！也算小生一个 allkity 网友正在看 Multicycle processor 电气控制技术_三相鼠笼式电动机的异地控制和联锁控制 颜色显示亮度的调节 压阻式与电容式加速度传感器 Shell基本命令 C语言程序设计视频教程(曾怡)23 如何选择好的导线？实际测试导线电阻与长度和面积之间的关係 讲座视频 - 控制系统
