本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Halo_Implants继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 如何在Atmel Studio 6 中建构设计项目 Microchip MPLAB X IDE 任务列表功能 集成传感器 电源设计小贴士40：非隔离式电源的共模电流 小梅哥公开课：SOPC综合系统设计及实战演练 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RT，来位大神帮个忙。要做一个课程设计，现在急求源代码与程序、急求课程设计。基于FPGA的正弦波，三角波，方波的信号发生器verilog源代码与程序。你这个不难，说说具体性能要求吧。小梅哥发表于2014-12-1820:18你这个不难，说说具体性能要求吧。 感谢你的帮助，我的这个课程设计要求是基于FPGA上的verilog程序，用quartusii编程程序的主要功能是希望能够产生正弦波，三角波，跟方波的信号发生器，最好能够有频率调节跟幅度调节的功能，没有也行，最 lvjiaming 小白求助，多中断响应问题 求助各位大神回答...在处理多个中断响应时，是按优先级去响应每个中断还是只响应优先级最高的中断呢？或者说在处理一个中断（中断A）时，别的中断（中断B）发生了，它完成这个中断（中断A）后会不会去处理另一个中断（中断B）呢？小白求助，多中断响应问题 在正常情况下，当中断被处理后，被屏蔽的其余中断请求中优先级最高的一个将被响应并处理，除非设计有错。恩当处理完一个中断后如果比它优先级低的中断标志位还存在就会处理众多中断优先级最高的那个咯哦一般这些中断标志位要么软件复位要么响应完中断 sbynwtf 直流励磁调速装置电路图 串级调速属于变转差率调速技术的一种，是通过绕线式转子异步电动机的转子回路引入附加电势而实现的；原理如下：假设绕线式异步电动机在额定速度下稳态运行，电磁转矩和负载转矩相平衡，如果这时候在转子回路串入一个与转子电势频率相同、相位相反的附加电势后，转子电流减小，从而使电动机产生的电磁转矩减小，因电磁转矩小于负载转矩，故电动机转速必然下降，随着转速下降转差率增大，转子电压升高导致转子电流增大，当转子电流所产生的转矩再次和负载转矩达到稳态时，电动机此时在一个更低的转速下稳态运行；保持附加电势和转 乱世煮酒论天下 网友正在看 MCP8024简介 光纤传感器的调制形式 安装Python，编写Python脚本控制MP3播放命令 SYS BIOS简介(3)——硬件中断和空闲线程_1 ARM常用开发工具使用分析 下 MOSFET的基本特性（二十） 经典同步问题一 杂质再分布-2硅表面浓度
