本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Simplified_AllRegion_Models继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 使用Atmel Studio 6进行系统内编程 直播回放: TI 毫米波雷达传感器在智能家居及智能安防中的应用 如何采用48V POL半桥GAN 控制器进行设计 BQ76952 & BQ76942, 3-16S & 3-10S 电池监控器系列讲座 (2) SYS BIOS 简介(1) —— 概览 半导体器件原理 复旦大学 蒋玉龙 嵌入式系统编程系列课程 PI: 集成式半桥驱动IC BridgeSwitch 2 助力高效永磁同步电机逆变器的设计 热门下载 [资料]-JIS B4313-2002 High-speed steel two-flute twist drills-Technical specifications.pdf [资料]-JIS B3512-2007 可编程序控制器.现场网络标准的试验和检定(1级)(修改件1).pdf [资料]-JIS B6203-1998 升降台式卧铣床 准确度的测试1.pdf [资料]-JIS F8521-2012.pdf [资料]-JIS F8522-2012.pdf [资料]-JIS D4311-1995 汽车用离合器衬片.pdf [-]-jis a1204-2009 土壤粒度分布的试验方法.pdf [资料]-JIS S2006-1994 Vacuum bottles.pdf [资料]-JIS D3636-2003 道路车辆.柴油机燃料喷射泵试验.枢轴型校准喷嘴.pdf [资料]-JIS C8152-1-2012 照明用白色発光ダイオード（ＬＥＤ）の測光方法－第１部：ＬＥＤパ.pdf 热门帖子 [转贴]悟空，CRC原来是这么回事！ AAACRC16=X16+X15+X5+1X16表示第15位需要异或运算X15表示第14位需要异或运算X5表示第4位需要异或运算1表示第0位需要异或运算如图，首先将CRC所有位清0。假设我们的数据流为8位，数据流==00000011，并且从0位（LSB）开始送入CRC中，则有：1）10000100000000011）01000010000000000）00100001000000000）000100001000000 iroirior 大唐网络优化培训资料（GSM PPT） 大唐网络优化培训资料（GSMPPT）大唐公司的培训资料，有关于GSM网络优化的（GSMPPT）大唐网络优化培训资料（GSMPPT）很想了解！Re:大唐网络优化培训资料（GSMPPT）收了！！！！！！Re:大唐网络优化培训资料（GSMPPT）好资料啊,谢谢Re:大唐网络优化培训资料（GSMPPT）谢谢！好资料！谢谢啦！Re:大唐网络优化培训资料（GSMPPT）似乎应该还要有大唐网络优化培训资料（GSM+PPT）1.rar吧？Re:大唐网络 mdreamj 请教一个问题，大家多多帮忙啊 请问org和creg这两个命令的区别。用Cx51时，其默认的startup.a51中有cregat0，后面跟着很多代码，请问这样会不会占用中断地址（0x03,0x0b......）？？请教一个问题，大家多多帮忙啊记得在cregat0后只有一个跳转指令，再后边的代码都是可以重新定位的代码，不会和中断程序冲突的怎么我的KEIL里没有生成这个呢?而且,连帮助里都没有提到这个 clnemo 请问ST的MCU的开发工具那家的比较好？ 请问ST的MCU的开发工具那家的比较好？相关链接:http://www.mcu361.com请问ST的MCU的开发工具那家的比较好？使用开发工具要看个人爱好，有人喜欢IAR，有人喜欢英蓓特，也有Keil，还有人喜欢ADS。我个人推荐IAR的，这些软件我都用过，我个人觉得IAR比较好，但是价格不菲哦！各有千秋keil＋ulink不好嘛？？？kkkkk新版keil还是可以的，不过ulink就差了点。Emb laoyuyin 如何在window ce开始菜单中加入自己的菜单项? 如题.如何在windowce开始菜单中加入自己的菜单项?用SHCreateShortcut创建快捷方式但是要注意空格问题http://support.microsoft.com/kb/824399/zh-cn什么意思啊,没看明白,请指导一下,谢谢!是要把你的程序加到开始菜单吗?是啊，我想在开始菜单中加入一个菜单项，然后点击此项时弹出自己的程序！用SHCreateShortcut创建快捷方式用SHGetSpecialFolderPath获取Programs文件夹路径（在St srong 请问EVC和.NET编写出来的CE程序有差别吗? 我是菜鸟,我是学.NET的,最近一直在学WINCE的程序,我有一个GPS一体机使用的是WINCE4.2的内核,我在论坛上看这种机器的程序是用EVC编写的,我想问可以用.NET的VS2005或2003编写吗?C++我学的不熟,我还是喜欢托拽式的编写方法,所以想问问那位GG知道,给我解释解释.请问EVC和.NET编写出来的CE程序有差别吗?.NET就是用来取代VC、EVC的，你的想法是没有问题。 luodennis 网友正在看 单相全波可控整流电路电阻性负载原理分析 电容滤波电路 放置的器件不是很齐，如何快速的对原理图中的器件进行对齐？ 互联网 - The Internet exploring-word-counts [Android开发视频教学]Activity布局初步(二)(10) 金属永磁材料 FPGA内部结构简介下
