本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Contact_Potentials继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 推动电机控制创新 Atmel SAM L21 超低功耗测试 十天学会PIC单片机 [高精度实验室] ADC系列 6 : 逐次逼近型 (SAR) 模数转换器 (ADC) 的输入驱动设计 Atmel|SMART 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本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:13编辑分享下相关的芯片申请途径，丰富的资源等你来找：样片申请本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:13编辑有些芯片商像TI、ADI、Maxim等都是很大方的，很容易申请的，而且都免费。NS申请过，但一看到所需的邮费我就放弃了，几十美元呢！其他的也试过，不如上述三者容易。本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:13编辑TI的芯片两天之内就能到··· 电子竞赛 我是一名初学者，请各位硬件工程指指路 我毕业快要两年了，我们公司是工业仪表的计量产品的，我现在是做硬件，但是感觉基本上没我什么事可以做。PCB和软件搞定后才给我们了，我就是硬件调试和测试及维修工作，我现在基本和软件不沾边。数字芯片类的电路不比纯模拟电路，电路不用自己怎么动脑筋画，一般都是按推荐电路来搭的，而且公司以前有一些方案可以使用。调试时就配合软工，这里电平不对，好，查datasheet，看焊接，看配置。。。直到搞对。感觉挺没意思的呢。领导说了自己多学习，可是现在我们这边人手少，说起来平时也很忙。我倒希望做点硬件设计的工作， kangtc86 树莓派室内环境监控器 Pimoroni Enviro Enviro专为室内监控而设计，可让您测量温度，压力，湿度，光线和噪音等级。特征： BME280温度，压力，湿度传感器 LTR-559光线和接近传感器 MEMSI2S数字麦克风 0.96英寸彩色LCD（16080） Pimoroni兼容插座 尺寸和形状与PiZero*65x30x8.5mm相同 连接器与所有40针接头RaspberryPi型号兼容 带有大量示例脚本的Python库，可用于 dcexpert TI 太有效率了 昨天在TI申请了几片芯片，今天就收到了，这也有点太快了吧！比自己买都快。这还是我第一次在TI申请芯片，还在担心会不会给我呢，没想到才一天就收到了，太有效率了！决定以后不买了，TI有的就去申请，真好！真心感谢TI，感谢咱的eeworld！TI太有效率了我倒是想申请，可是好像不好使，通不过呀我也没觉得难啊，就简单的填了一下，第二天芯片就收到了回复沙发wangfuchong的帖子有审核的跟你的公司或者有很大关系有些是很容易申请的呵呵。。回复板凳一个小白 一个小白 网友正在看 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