本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 linux内核编程入门 DC-DC 转换器工作原理是什么？ ROS趣味入门教程 清华大学Altera FPGA工程师成长手册 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如题，最好能给出详细的文档资料。另外相比ebootnboot这些又有什么区别？初学arm9下的wince开发，请达人指教。redboot可以引导wince4.2吗？自己顶上去，请高人指点 ljm362430 SignFile.exe的问题，按照ce help或者付林林上的文章说的执行失败！为什么？ 如何！也就是windowsce系统加密的事宜。不经过签名的程序或者dll不能在设备生运行！SignFile.exe的问题，按照cehelp或者付林林上的文章说的执行失败！为什么？现在signfile.exe执行成功。但是build-c的时候出现错误说checksuminit未定义 shily 南京招聘：有嵌入式及硬件基础知识的Delphi BCB程序员，从事监控主站开发 南京招聘：有嵌入式及硬件基础知识的DelphiBCB程序员，从事监控主站开发要求：1:熟悉Delphi开发环境。2:熟练使用SQL-Server编程语言3:了解一定的硬件知识和通信编程经验4:2年以上工作经验5:工作地点南京有意向请发简历：wancai@vip.sina.com南京招聘：有嵌入式及硬件基础知识的DelphiBCB程序员，从事监控主站开发熟练使用SQL-Server编程语言??SQL-Server啥时候成编程语言了?有兴 good969 打算学驱动开发，对于初学者需要买开发板吗？ 有些人推荐买开发板，可我是刚接触这个，并且基本都是自学，不知道这样的水平适不适合买开发板。很多人都说要买就要ARM9的，我一看价格基本都1000左右。谁能帮小弟出出主意。谢谢了打算学驱动开发，对于初学者需要买开发板吗？学windows或者linux下的驱动开发并不需要买板子，装了这些操作系统就行了。然后买本书学。买个开发板可以熟悉一下硬件，驱动程序就是和硬件打交道的，不懂硬件很难写好驱动程序。建议买个便宜点的，有USB1.1的板子一百来块，比较划算。呵呵，已经买了块s3c2410 CHB1948 网友正在看 FPGA簡介_微處理器與FPGA 血糖仪研讨专场 例子-复杂门等效反相器设计 数模混合信号电路设计 华清远见嵌入式在线视频教程——3、嵌入式Linux开发应用介绍 直流有刷电机专题-第27讲 直流有刷电机PID双环控制（电流+速度环） 4、Thread/BLE双模开发技术讲座 数据结构37
