本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Effective_Mobility继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 2016 TI 嵌入式研讨会 - 无线专场 直流电桥原理及操作 复旦大学 研讨会 : ADI 数字主动降噪耳机方案 瑞萨电子在线调试工具EZ-CUBE参考设计 功率级保护，电流感应，效率分析和相关的TI设计 十天学会PIC单片机 射频电路基础 2019_Digikey KOL系列：小功率 DC-DC 换流器设计常用技巧 热门下载 浅谈检测／校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机＋CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 再次求助：Z-stack运行受阻 唉，昨天问的问题还没解决，今天调试的时候又遇到了更棘手的问题：程序总是在osal_start_system()这个操作系统函数里循环，即下面的函数段 do{if(tasksEvents)//Taskishighestprioritythatisready.{break;}}while(++idxtasksCnt); 中的tasksEvents总为0，说明没有事件触发消息传递到tasksEve wwh19910609 STM32F207和max3051输出的CAN波特率跟程序计算出来的波特率不一致？ 如题STM32F207和max3051输出的CAN波特率跟程序计算出来的波特率不一致？ max3051最高支持1m的。你现在属于can芯片的选型？要不要给你推荐个3.3v挺稳定的？还有你怎么知道波特率不一致。说明清楚别人才能有更清楚的回复。。。。否则，靠猜，，，，也不是神仙。。。。最好能图文并茂下。哈哈 我单片机程序设置的波特率跟can分析仪测出来的波特率不一样 我不知道你用哪种分析仪？但是我用逻辑分析仪和can分析仪都是可以的。1、逻辑分析仪在can的回环模式调 wanghlady 請問可以同時插兩只CSR的Bluetooth dongle么？ 現正在學習BCHSApplicationDemo，通信時需要兩臺PC，各插一只dongle，很不方便。請問可以在同一臺PC上插兩只dongle么。理論上是完全可行的，而且從設備管理器中也可以找到兩個設備(dongle)，但不知道如何與應用程序關聯起來，應用程序只能同時打開一個，就是說如何把應用程序和dongle關聯起來，指定哪一個應用程序跑哪一只dongle？？？請問可以同時插兩只CSR的Bluetoothdongle么？ benpao_life 诚聘嵌入式单片机工程师写作者 诚聘嵌入式单片机工程师写作者职位描述1、不需要坐班，业余时间较多。要求对单片机的软硬件开发均比较熟悉.2、熟悉ARM，熟悉硬件原理图、PCB的设计，有多层板设计经验。有工控产品和测控产品研发经验者优先.3、精通C语言开发，编码规范，熟悉软件工程和数据结构.有意者可以加Q1401149369私聊电话15101016805郭现杰。可以业余时间写不耽误正常工作诚聘嵌入式单片机工程师写作者 郭现杰 FPGA除法的快速实现 在数字信号的处理过程中，经常用F口GA进行除法运算，但自带除法C0re耗时太多，效果不佳，有没有快速，资源占用少的除法。FPGA除法的快速实现没人搞过除法吗？搞过用哪方法？我觉得用IP核做还好些IP核ip核应该是经过优化的呀！！工P核缺点:占用资源多，延时长；优点:方便快捷。自行没计的除法器，使用不方便，但是占用资源少，延时短。哈哈这段时间也在折腾除法用的分段逼近自己写的IP2个clk搞定：）请TX_X丫贡献你的工P，与大家分享！软核除法就没意思了 eeleader 《大规模语言模型：从理论到实践》第三章大预言模型预训练数据 本周分享的是第三章大预言模型预训练数据，本章介绍的是常见的大语言模型预训练数据的来源、处理方法、预训练数据对大预言模型影响的分析及开源数据集等。数据来源文中指出OpenAI在训练GPT-3时所使用的数据集有CommonCrawl、WebText2、Books1、Books2和英文的Wikipedia等。这些数据集都是英文的，不过也从CommonCrawl加入了非英文的数据集进行训练。CommonCrawl的原始数据有45TB，比我的硬盘大了不知好几倍，如果是人去一个 1084504793 网友正在看 具有恒流源的差分放大电路 11d- Sign-off Validation, including IR Drop and EM Analysis, LEC, and DRC_LVS_ERC 尺度变换特性与奇偶虚实特性 嵌入式Linux USB驱动开发 上 Scaling Down GSM模块SIM900A发送短信 常见Linux®驱动程序使用培训教程 CC1120开发板范围测试
