本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Semiconductors__Part_3继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 直播回放：甘为AI大脑的顺风耳 TI和WE的USB 3.1 Type-C解决方案 PIC32在数字音频中的应用 ESP32视频教程 赛灵思培训资源介绍 云龙51单片机实训视频教程（王云，字幕版） xilinx 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技术招聘最新咨讯抢先知 技术应用工程师发展项目（上海/深圳）应用工程师岗位根据所专注的产品不同，分为模拟和数字两大类。加入这个项目，您将参加一个为期12个月的培训项目.包括新员工培训、实际工作地点培训、海外培训、所属区域内轮岗以及实际工作地点岗位实践。根据不同批次，后三个阶段的轮岗及培训顺序可能变动。培训和轮岗后,您的工作将按照如下路径发展,当然,随着您的业绩和经验的不断累积,您也可以在成为出色的技术应用人员的同时管理团队，在纵向和横向两个方面发展您的能力和职业。详情请看:htt EEWORLD社区 关于D类功放半桥输出的问题 本人最近正在做一题低频功率放大器的题目，题目要求负载一段接地，所以无奈，输出级选择了半桥模式，然后完成之后发现一个问题。最后出来的功率波形存在一个直流偏置，而且功率基本上都是直流功率，接入隔直电容后，输出功率基本没有。求助，如何用半桥正确的推MOS。附上我的两张图关于D类功放半桥输出的问题半桥用单电源，当然负载要串联电容。图中有错误，Vs脚必须与两支MOS管联接处相联接。楼上说的对，你查一下IR2103的datasheet，看一下TypicalConnection，对比一下自己的电路 Vlinar 一种偏僻野外的设备供电想法~~ 请教下，用风力发电做动力给超级电容充电，然后再用超级电容来供电给很多偏僻野外的设备供电，大家觉得这个方式可靠吗？一种偏僻野外的设备供电想法~~我觉得这个风力转化为电能的效率能满足么？需要多大的设备呢？还有，我想，有些地方风力达不到要求，是吗？有些地方可以，有些地方不可以。我家那海边有很多风力发电机看你用电设备需要多大的功率？然后再看地理位置吧~可以结合太阳能更加靠谱一些用电池要好些吧功率决定一切抛弃成本太阳能更好 老夫子 网友正在看 语法制导翻译的实现原理1 在Allegro软件中的Groups组创建之后怎么进行打散呢？ 通过集成隔离数据和电源 IC 降低辐射 移相全桥ZVS变换器的设计实例 P1. 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