本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 操作系统国防科大罗宇 Altium Designer设计实例演示合辑 研讨会：开拓IoT社会 尼吉康的新蓄电装置 直播回放： 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MSP430F6726的VDSYS和DVSYS、VASYS是怎么回事?datasheet里说要外接电容，推荐值4.7uF，这三个引脚是怎么做到在VCC，AUXVCC1，AUXVCC2之间选择的，是不是要另外接3.3V？他们具体怎么使用的？另外VDSYS和DVSYS是不是要连起来的？MSP430F6726的VDSYS和DVSYS、VASYS三个引脚怎么使用？六系列？金刚狼？楼主有这个开发板？没有开发板，但是新产品开发已经决定使用，在画原理图 rachelgao 怎么让Acticesync支持UDP? 本人做GPS车载终端,有了Acticesync就可以单步调试,可惜只能调试TCP的协议,对于UDP的没有办法调试,因为听说Acticesync不支持啊?想问问个位高手:1.强悍的微软做出来的Acticesync难道真的就不支持UDP吗??????2.如果不支持,怎么才能让它支持怎么让Acticesync支持UDP?本公司专业承接PCB印制线路板厂家。主要生产单，双以及多层线路板，盲孔，高频板等。最小孔径0.15mm,是小线距0.1mm.表面处理:防氧化,镀金,镀锡.无铅工艺等等. lc258 ACDC电源中的热敏电阻参数到底该怎么选？ 一般的ACDC电源输入端会用一个NTC热敏电阻，平时都是按经验值，或者电源方案的推荐值，比如下面的电路，如果没有NTC这个器件，交流220V会对CE3造成损害吗？请教NTC要怎么计算它的参数，毕竟它也是个过流器件，有没有计算公式可以推荐的？ACDC电源中的热敏电阻参数到底该怎么选？功率型热敏电阻（NTC）选型https://baijiahao.baidu.com/s?id=1686041114475039082&wfr=spider&for=pc 感谢老师 kal9623287 网友正在看 在进行布线的时候，如何设置让走线从焊盘里面出线呢？ differential amplifiers（1） 2.1.4_IoT联接管理平台介绍 Efficient Point Cloud Recognition 中断下半部处理机制 Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 专题8：室外移动机器人 高频谐振放大器、正弦波振荡器习题讲解（四）
