本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 村田RFID产品介绍 直播回放: 5G多场景终端应用对连接器的新要求及Molex的5G连接方案 EEWORLD DIY 增加点电子功能的桌面收纳盒（成果展示） [高精度实验室] 隔离 : 隔离式放大器与调制器 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在KeilC中：floatf=4.215;printf(%6.2f,f);输出：4.21//前有两个空格请问如何printf输出004.21,即用0来填充，而不用空格填充？printf的问题，如下：printf只默认填空格,不填0要不LZ自己实现一个PRINTF?要不用sprintf();把浮点先转成一个char然后,自已再实现一个处理把空格替换成0 lihaifeng15 用VHDL编程实现一个双工系统 本人求一个程序，用VHDL编程实现一个双工系统具体为：一个开关控制3个LED显示（如数字516）并且下载到CPLD中检查用VHDL编程实现一个双工系统up ardentyears 大学新生报名IT培训，职业规划从入学开始 本报讯：日前，记者从国内著名的IT培训公司北大青鸟APTECH获悉，进入9月份以来，在一些城市出现了大量刚入学大学新生前来咨询职业培训，甚至已有人报名参加相关课程培训，在某些培训中心，这类刚入学大学新生在本阶段招生中已占到相当比例。IT职业培训已经渗透到新入学的大学生中间。近年来，随着大学生就业难的现象成为社会广泛关注的热点，大学新生及其家长自入学就开始关心四年后的就业也正在成为一种较为普遍的现象。北大青鸟APTECH相关负责人告诉记者：近期以来，在北大青鸟APTECH软件工程师培训中心咨询 wawj1819 请教，P4CPU 32位地址总线与64位数据总线的关系，及如何工作。 如题。还有：通常所说的：访问是通过地址总线还是数据总线呢？P4是64位数据总线，那么32位windows为何只能访问32位*呢？请教，P4CPU32位地址总线与64位数据总线的关系，及如何工作。楼主定是初学吧~~~很多资料都有的啊~~确实是初学，看不懂啊！不知道，“数据总线”和“地址总线”的区别和作用！还有，就是一些概念之类的东西拿不准！帮帮忙吧！地址总线用来链接存储器吧？数据总线是读写数据的宽度吧？对阿，楼主果然冰雪聪明。。。请问：哪可 leejiee 网友正在看 Multicycle processor 电气控制技术_三相鼠笼式电动机的异地控制和联锁控制 颜色显示亮度的调节 压阻式与电容式加速度传感器 Shell基本命令 C语言程序设计视频教程(曾怡)23 如何选择好的导线？实际测试导线电阻与长度和面积之间的关係 讲座视频 - 控制系统
