本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 直播回放: Fluke 数据采集器的基础知识及其应用和校准 CES 2015焦点: maXTouch T Series手势解锁功能演示 直播回放： 英飞凌智能电机驱动方案 无人机-飞思卡尔Kinetis KV4x MCU四旋翼电调方案 无线电动工具应用中电机控制设计的考量 感谢工程师——无线电话听筒 直播回放: 抢占工业4.1先机 文晔科技日等你来！ ADC基础知识分享 - SAR 和 Delta Sigma ADC 基础知识 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 STM32F429Discovery收到+刷示波器BIN看看效果 收到管理员eric_wang寄来的板子，由于原版的源码是基于一个我不熟悉的编译软件弄的，所以我直接用了版主dcexpert用STM32F429DiscoveryDIY的示波器帖子中提供的bin文件，给板子下载这个文件有很多种方法，我使用的是stlink_utinitySTM32F429Discovery收到+刷示波器BIN看看效果速度真快啊。估计楼主是这一批里第一个收到了真快啊eric_wang发表于2015-1-2221:56 IC爬虫 TI 放弃了三妹（M3），四妹（M4）能顶住吗？ 打算做UDP开发。。。不知道应该哪个片子哇。。。看好了三妹。。。但是三妹被抛弃了。。。TI放弃了三妹（M3），四妹（M4）能顶住吗？三妹?蓝雨夜发表于2015-1-1315:28三妹? M3LM3Snishiwodea发表于2015-1-1315:30M3LM3S 哦，原来是她啊那你就换TM4C129好了M3可以平滑切换至M4，如果手头上没有M4，可以再M3平台上开发评估，然后移植过来就好了。蓝雨夜发表于20 nishiwodea STM32接OLED问题 最近想做做显示屏这块，淘宝上看到OLED现在正常是SPI/IIC控制，但引脚有个地方看不懂款式一：这种难道是SPI、IIC两种都可以吗？如果作为spi的驱动，D0-SCK,D1-MOSI,DC呢？难道是MISO？命令选择怎么用的用IIC的话，D0-SCL,D1-SDA,那DC、CS、引脚是不要连吗？款式二DC：是指什么引脚？MISO?那片选呢？没有怎么用？有谁用过OLED的，请指教STM32接OLED问题这种一般都是SPI的，很少有IIC 770781327 做DSP最该掌握的157个问题 DSP基础和精华问答，希望对大家有帮助！做DSP最该掌握的157个问题很不错的分享，谢谢楼主！！！感谢lz分享 lyl455133 模电基础知识系列讲座，一个老师的经验集锦（力荐！） 从零开始学模电系列讲座（力荐）也许国赛设计中，遇到某些问题，在这里可以找到答案。历来模拟都是国赛设计中比较重要的一部分，也借此机会来深化一下模电知识吧！模电基础知识系列讲座，一个老师的经验集锦（力荐！）顶顶好嘿嘿，收下了~回复楼主EEWORLD社区的帖子顶。。。。。。。回复5楼newlevel168的帖子真好，继续！怎么获取资源啊不错，不错看看，看看电子设计竞赛正好需要，谢谢分享顶！过来 EEWORLD社区 大家来看一下IAR编译器的调试问题 之前用IAR调试Ti的CC2530（core：8051），现在用IAR调试Freescale的FRDM-KL25Z（ARMCortex-m0+）。在之前调试CC2530积累了一些经验，就是在调试的时候将IAR的大代码优化等级调整低一些，便于调试主要体现在：单步的时候当前代码不会乱跑，Watch监视窗设置的变量能够被监视（优化等级高会导致，即使代码已经进入了某变量的作用域，但是无法在监视窗查看该变量的值）。不过最近用IARARM（FRDM-KL25Z刷Jlink板载调试器调试）将代码的 liutogo 网友正在看 Multisim简介及其应用 4.2 如何为智能扬声器选择合适的充电管理器 无线网络协议(上)_3 第17讲：云引擎-远程上下载PLC程序、监控、诊断等 Nonlinear Optimization 第21章-2-软件定时器 非周期信号的傅里叶变换（一） C2000DesignDRIVE和开发套件介绍
